2020 半导体器件物理(深圳大学) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-03-01到2020-07-16
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W1-3半导体中杂质和缺陷能级 W1-测试
1、 问题:室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。
选项：
A:1
B:2
C:3
D:4
答案: 【2】
2、 问题:室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。
选项：
A:2
B:4
C:6
D:8
答案: 【4】
3、 问题:Si晶体的第一布里渊区是个（）体。
选项：
A:立方体
B:正菱形12面体
C:截角8面体
D:球体
答案: 【截角8面体】
4、 问题:费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）
选项：
A:0
B:0.5
C:1
D:无穷大
答案: 【1】
5、 问题:
哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？
选项：
A:1
B:2
C:3
D:无法判断
答案: 【3】
6、 问题:空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。
选项：
A:正，负
B:正，正
C:负，正
D:负，负
答案: 【正，正】
7、 问题:Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。
选项：
A:=
B:>
C:<
D:无法确定大小关系
答案: 【<】
8、 问题:随温度升高，Si的禁带宽度（）
选项：
A:不变
B:增加
C:减小
D:不清楚
答案: 【减小】
9、 问题:Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。
选项：
A:施主
B:受主
C:两性杂质
D:中性杂质
答案: 【受主】
10、 问题:Si中常见点缺陷是（）缺陷。
选项：
A:弗伦克尔
B:肖特基
C:刃位错
D:螺位错
答案: 【肖特基】
11、 问题:晶体Si是直接带隙半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
W2-6非平衡载流子 W2-测试
1、 问题:能态密度的单位可以是（）
选项：
A:个
B:个/平方厘米
C:个/eV
D:个/平方厘米-eV
答案: 【个/eV】
2、 问题:Si晶体中，任一能级位置，不是被电子占据就是被空穴占据。
选项：
A:对
B:错
C:无法确定
D:都可以
答案: 【对】
3、 问题:N型Si中，导电电子主要分布在
选项：
A:导带顶部
B:导带底部
C:价带顶部
D:价带底部
答案: 【导带底部】
4、 问题:室温下，Si的本征载流子浓度约为（）cm-3.
选项：
A:1E9
B:1E10
C:1E11
D:1E12
答案: 【1E10】
5、 问题:Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。
选项：
A:150
B:200
C:250
D:300
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