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本课程起止时间为:2020-02-25到2020-06-30
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阶段小结1 阶段测试1

1、 问题:试计算质量为1×10^(-30) kg, 速度为1×10^6 m/s的微观粒子的德布罗意物质波波长?
选项:
A:6.62 m
B:6.62×10^(-9) m
C:6.62×10^9 m
D:1×10^(-9) m
答案: 【6.62×10^(-9) m

2、 问题:多晶可以看成是由若干个()组成的。
选项:
A:非晶
B:小单晶粒
C:布拉菲点阵
D:晶胞
答案: 【小单晶粒

3、 问题:下图中(三条红线围成的)晶面的的晶面指数是?
选项:
A:(233)
B:(322)
C:[322]
D:[233]
答案: 【(322)

4、 问题:原胞是晶体结构中体积最小的重复单元,它只包含()个格点。
选项:
A:1
B:2
C:3
D:4
答案: 【1

5、 问题:当晶体中原子的间距越来越近时,开始出现(),能级越(),分裂的程度越显著。
选项:
A:原子共有化运动,高
B:电子共有化运动,高
C:原子共有化运动,低
D:电子共有化运动,低
答案: 【电子共有化运动,高

6、 问题:布洛赫波函数可以看着是振幅()的平面波,波函数在某一点的强度代表电子出现的()。
选项:
A:恒定不变,概率
B:周期性变化,概率
C:恒定不变,能量
D:周期性变化,能量
答案: 【周期性变化,概率

7、 问题:绝缘体和半导体的能带类似,但绝缘体的禁带宽度一般要()半导体的禁带宽度。
选项:
A:大于
B:等于
C:小于
D:短于
答案: 【大于

8、 问题:一般把禁带宽度大于或等于()的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。
选项:
A:1eV
B:0.5eV
C:2.3eV
D:5eV
答案: 【2.3eV

9、 问题:当半导体硅中掺入磷原子时,如果磷原子替代硅原子,电离后其效果是形成一个()中心和一个多余的()。
选项:
A:负电中心,空穴
B:负电中心,电子
C:正电中心,空穴
D:正电中心,电子
答案: 【正电中心,电子

10、 问题:下列哪个能级是属于浅能级?
选项:
A:ED
B:EA3
C:EA2
D:EA1
答案: 【EA1

11、 问题:根据导电能力的大小,可以将物质分为哪几类?
选项:
A:绝缘体
B:半导体
C:导体
D:晶体
答案: 【绝缘体;
半导体;
导体

12、 问题:集成电路的行业模式可以分为哪几种?
选项:
A:IBM
B:IDM
C:Fab
D:Fabless
答案: 【IDM;
Fab;
Fabless

13、 问题:半导体晶体具有哪些特征?
选项:
A:周期性
B:各向异性
C:各向同性
D:无规则性
答案: 【周期性;
各向异性

14、 问题:晶体结构可以抽象为()加()?
选项:
A:晶格点阵
B:原胞
C:基元
D:晶胞
答案: 【晶格点阵;
基元

15、 问题:晶体中能带的特点有?
选项:
A:能带与能带之间存在禁带
B:低能级形成的能带宽度一般小于高能级形成的能带宽度
C:能带是准连续的
D:能带是连续的
答案: 【能带与能带之间存在禁带;
低能级形成的能带宽度一般小于高能级形成的能带宽度;
能带是准连续的

16、 问题:利用()模型,可以对浅能级杂质的电离能进行估算?
答案: 【类氢

17、 问题:若半导体中同时存在施主和受主掺杂,且施主掺杂浓度近似等于受主掺杂浓度,则该半导体称为()半导体?
答案: 【高度补偿

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