2020 半导体制造技术(四川现代职业学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-03-16到2020-04-12
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第一章集成电路制造工艺发展概况第一单元单元测验

1、问题:双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是，其次制备的是，最后制备的是，依次为：
选项：
A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 【集电区、基区、发射区】

2、问题:集成电路的绝缘介质隔离技术中，最常用的介质是。
选项：
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:多晶硅
D:单晶硅
答案: 【二氧化硅】

3、问题:常用的电阻率的测试方法是
选项：
A:四探针法
B:热探针法
C:三探针法
D:范德堡法
答案: 【四探针法】

4、问题:少数载流子寿命测试方法是
选项：
A:光电导衰减法
B:四探针法
C:热探针法
D:范德堡法
答案: 【光电导衰减法】

5、问题:确定单晶硅导电类型的方法是
选项：
A:热探针法
B:四探针法
C:三探针法
D:范德堡法
答案: 【热探针法】

6、问题:为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是
选项：
A:CMP
B:研磨
C:倒角
D:化学腐蚀
答案: 【CMP】

7、问题:当前半导体材料应用最广泛的是
选项：
A:硅
B:锗
C:砷化镓
D:锗硅材料
答案: 【硅】

8、问题:硅片制备过程中常常采用的定向方法是
选项：
A:光点定向
B:金刚砂
C:CMP
D:研磨
答案: 【光点定向】

9、问题:半导体行业用到的多晶硅纯度一般为
选项：
A:电子级纯
B:分子级纯
C:原子级纯
D:纳米级纯
答案: 【电子级纯】

10、问题:每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000，那么该环境的洁净等级为
选项：
A:1000级
B:10000级
C:10级
D:100级
答案: 【1000级】

11、问题:集成电路，按照功能可以为。
选项：
A:双极型集成电路、MOS集成电路
B:数模混合集成电路
C:数字集成电路
D:模拟集成电路
答案: 【数模混合集成电路;
数字集成电路;
模拟集成电路】

12、问题:集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有。
选项：
A:外延隔离
B:埋层隔离
C:PN结隔离
D:介质隔离
答案: 【PN结隔离;
介质隔离】

13、问题:制备单晶硅的方法有
选项：
A:直拉法
B:悬浮区熔法
C:四探针法
D:范德堡法
答案: 【直拉法;
悬浮区熔法】

14、问题:单晶硅生长需要满足的条件
选项：
A:加热，原子重新排列
B:籽晶
C:过冷温度
D:浓度梯度
答案: 【加热，原子重新排列;
籽晶;
过冷温度】

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