2020 材料制备新技术(上海电力大学) 最新满分章节测试答案

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【作业】第1章 成核理论 1 推导气相体系相变驱动力表达方式

1、 问题:三种体系相变驱动力表达方式尝试推导气相体系相变驱动力表达方式。
评分规则: 【
】

第1章 成核理论－－章节练习 第一章 成核理论

1、 问题:相变驱动力指单个原子或分子由流体相转变为晶体相时引起的系统 的降低。
选项：
A:吉布斯自由能
B:熵
C:焓
D:内能
答案: 【吉布斯自由能】

2、 问题:熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
选项：
A:沸点
B:三相点
C:熔点
D:平衡温度
答案: 【熔点】

3、 问题:催化成核情况下，当接触角q = 90°时，其成核的热力学位垒是其对应均匀成核热力学位垒的_____倍。
选项：
A:1/3
B:1/2
C:2
D:1
答案: 【1/2】

4、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

5、 问题:非均匀成核指在亚稳相系统中空间成核优先出现在某些局部区域的过程。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:成核催化剂指能有效增加成核位垒促进成核作用的物质。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【成核催化剂指能有效降低成核位垒促进成核作用的物质。】

7、 问题:胚团分布规律指由于复相起伏而存在于流体相中的胚团的分布规律。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:晶核形成能（成核功）指形成一个晶核所需要的最大能量，由系统的能量涨落供给。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【晶核形成能（成核功）指形成一个晶核所需要的最起码能量，由系统的能量涨落供给。】

9、 问题:晶核指达到一定尺寸但有可能消失的胚团。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【晶核指达到一定尺寸能够稳定发展下去而不消失的胚团。】

10、 问题:界面压力是指平衡态下弯曲界面两侧的 之差。
答案: 【(以下答案任选其一都对)压力;
压强】

11、 问题:晶体生长大致可以分为晶核的_______两个阶段。
答案: 【(以下答案任选其一都对)形成和生长;
形成 生长;
形成、生长】

12、 问题:成核率是指 内能够发展成为晶体的晶核数。
答案: 【(以下答案任选其一都对)单位时间单位体积;
单位时间 单位体积;
单位时间、单位体积】

第2章 界面的平衡结构

1、 问题:乌尔夫定理（Wullf定理）是指在恒温恒压下，一定体积的晶体，与溶液或熔体处于平衡态时，它所具有的形态（平衡形态）应使其总的表面能 。
选项：
A:最大
B:最小
C:不确定
D:任意
答案: 【最小】

2、 问题:奇异面指表面能极图中能量曲面上出现 的点所对应的晶面。
选项：
A:极大值
B:极小值
C:中值
D:变化值
答案: 【极小值】

3、 问题:划分界面类型的标准有：
选项：
A:界面是突变的还是渐变的
B:界面上存在吸附层，还是不存在吸附层
C:界面是光滑的，还是粗糙的
D:界面是完整的，还是非完整的
答案: 【界面是突变的还是渐变的;
界面上存在吸附层，还是不存在吸附层;
界面是光滑的，还是粗糙的;
界面是完整的，还是非完整的】

4、 问题:非奇异面指其它取向的晶面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:光滑界面从微观上看界面是光滑的，其上有台阶和扭折，呈层状生长，相当于奇异面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:粗糙界面从微观上看界面是凹凸不平的，到处是台阶和扭折，能连续生长，相当于非奇异面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:扭折指台阶的转折处。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:台阶的平衡结构指在生长温度下，具有扭折的台阶才是台阶的平衡结构。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:表面能极图指反映 与晶面取向关系的图形。
答案: 【表面能】

10、 问题:邻位面指取向在奇异面附近的晶面，它由一定组态的 构成。
答案: 【台阶】

【作业】第4章 单晶熔体生长法 提拉法生长晶体的优点

1、 问题:提拉法生长晶体的主要优点是什么？
评分规则: 【 1. 在生长过程中，可以直接观察晶体的生长状况，这为控制晶体外形晶体外形提供了有利条件。
2. 晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触，能够显著减小晶体的盈利并防止坩埚壁上的寄生成核。
3. 可以方便使用定向籽精和缩颈工艺，得到不同取向的单晶体，降低晶体中的位错密度，减少镶嵌结构，提高晶体的完整性。
4. 提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质量的晶体。
】

【作业】第6章 气相沉积法（上） 物理气相沉积

1、 问题:物理气相沉积主要包括怎么哪几种方式，分别怎么定义的。
评分规则: 【 物理气相沉积主要包括真空蒸发镀膜（蒸镀）、溅射沉积和离子镀三种。
蒸镀：利用真空泵将淀积室抽成真空，然后用高熔点材料制成的蒸发源将淀积材料加热、蒸发、淀积于基片上。
溅射：用动能为几十电子伏的粒子束照射沉积材料表面，使表面原子获得入射粒子所带的一部分能量并脱离靶体后，在一定条件下沉积到基片上，这种镀膜方法称为溅射镀膜。
离子镀：就是在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层的镀膜技术。离子镀是镀膜与离子轰击改性同时进行的镀膜过程，无论是蒸镀还是溅射都可以发展为离子镀。
】

【作业】第6章 气相沉积法（下） 化学气相沉积

1、 问题:PECVD为何能有效降低基体温度？
评分规则: 【 PECVD利用等离子体活性来促进反应。
等离子体中有高密度的电子，电子其温度比普通气体分子温度高出10~100倍，能够激发处于较低环境温度下的反应气体，使之在等离子体中受激、分解、离解和离化，从而大大提高了参与反应的物质活性。
这些具有高反应活性的物质很容易被吸附到较低温度的集体表面上，于是，在较低温度下发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜，这就大大降低了基体的温度，提高了沉积速率。
】

第7章 溶液生长法（上） 溶液生长法章节测试

1、 问题:从溶液中生长晶体的最关键因素是控制溶液的 ？
选项：
A:温度
B:压强