2021 材料制备技术（赵满秀）(湘潭大学) 最新满分章节测试答案

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第1章 成核理论 第一章 成核理论

1、 问题:相变驱动力指单个原子或分子由流体相转变为晶体相时引起的系统 的降低。
选项：
A:吉布斯自由能
B:熵
C:焓
D:内能
答案: 【吉布斯自由能】

2、 问题:熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
选项：
A:沸点
B:三相点
C:熔点
D:平衡温度
答案: 【熔点】

3、 问题:催化成核情况下，当接触角q = 90°时，其成核的热力学位垒是其对应均匀成核热力学位垒的_____倍。
选项：
A:1/3
B:1/2
C:2
D:1
答案: 【1/2】

4、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

5、 问题:非均匀成核指在亚稳相系统中空间成核优先出现在某些局部区域的过程。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:成核催化剂指能有效增加成核位垒促进成核作用的物质。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【成核催化剂指能有效降低成核位垒促进成核作用的物质。】

7、 问题:胚团分布规律指由于复相起伏而存在于流体相中的胚团的分布规律。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:晶核形成能（成核功）指形成一个晶核所需要的最大能量，由系统的能量涨落供给。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【晶核形成能（成核功）指形成一个晶核所需要的最起码能量，由系统的能量涨落供给。】

9、 问题:晶核指达到一定尺寸但有可能消失的胚团。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【晶核指达到一定尺寸能够稳定发展下去而不消失的胚团。】

10、 问题:界面压力是指平衡态下弯曲界面两侧的 之差。
答案: 【(以下答案任选其一都对)压力;
压强】

11、 问题:晶体生长大致可以分为晶核的_______两个阶段。
答案: 【形成和生长】

12、 问题:成核率是指 内能够发展成为晶体的晶核数。
答案: 【单位时间单位体积】

第2章 界面的平衡结构

1、 问题:乌尔夫定理（Wullf定理）是指在恒温恒压下，一定体积的晶体，与溶液或熔体处于平衡态时，它所具有的形态（平衡形态）应使其总的表面能 。
选项：
A:最大
B:最小
C:不确定
D:任意
答案: 【最小】

2、 问题:奇异面指表面能极图中能量曲面上出现 的点所对应的晶面。
选项：
A:极大值
B:极小值
C:中值
D:变化值
答案: 【极小值】

3、 问题:界面相变熵是描述界面光滑与粗糙程度的参量，常用a表示，，a越大，界面越 。
选项：
A:粗糙
B:光滑
C:完整
D:不确定
答案: 【光滑】

4、 问题:划分界面类型的标准有：
选项：
A:界面是突变的还是渐变的
B:界面上存在吸附层，还是不存在吸附层
C:界面是光滑的，还是粗糙的
D:界面是完整的，还是非完整的
答案: 【界面是突变的还是渐变的;
界面上存在吸附层，还是不存在吸附层;
界面是光滑的，还是粗糙的;
界面是完整的，还是非完整的】

5、 问题:非奇异面指其它取向的晶面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:光滑界面从微观上看界面是光滑的，其上有台阶和扭折，呈层状生长，相当于奇异面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:粗糙界面从微观上看界面是凹凸不平的，到处是台阶和扭折，能连续生长，相当于非奇异面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

8、 问题:柯塞尔模型（Kossel model）指描述非完整光滑突变界面的模型。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

9、 问题:扭折指台阶的转折处。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

10、 问题:台阶的平衡结构指在生长温度下，具有扭折的台阶才是台阶的平衡结构。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

11、 问题:界面熔化指随着温度的升高，光滑界面突然转变成粗糙界面的过程。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

12、 问题:扩散界面指相变发生在一个连续的间距范围内，不再限制界面的层数，又称为多层界面。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

13、 问题:表面能极图指反映 与晶面取向关系的图形。
答案: 【表面能】

14、 问题:邻位面指取向在奇异面附近的晶面，它由一定组态的 构成。
答案: 【台阶】

15、 问题:双层界面指由晶体表层和 构成的界面，相变只发生在这两层原子间距范围内。
答案: 【界面层】

16、 问题:杰克逊模型（Jackson model）指描述光滑粗糙突变界面的模型，又称为 模型。
答案: 【双层界面】

17、 问题:特姆金模型（Temkin model）指描述扩散界面的模型，又称为 模型。
答案: 【多层界面】

第4章 单晶材料的制备

1、 问题:气相生长法指从过饱和的蒸气相中结晶生长晶体的方法，具体分为 。
选项：
A:升华法
B:蒸气输运法
C:气相反应法