2020 IC制造工艺(苏州工业园区服务外包职业学院)1461843451 最新满分章节测试答案

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单元2：半导体材料及硅衬底的制备 单元测试

1、 问题:半导体行业最常用的半导体材料是（）。
选项：
A:Si
B:Ge
C:氮化镓
D:砷化镓
答案: 【Si】

2、 问题:工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。
选项：
A:直拉法
B:区熔法
C:三氯氢硅的氢还原法
D:沉积法
答案: 【三氯氢硅的氢还原法】

3、 问题:当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。
选项：
A:还原法
B:氧化法
C:悬浮区熔法
D:直拉法
答案: 【直拉法】

4、 问题:电子级纯的多晶硅的纯度为（）。
选项：
A:99.9999999%
B:99.9999%
C:99%
D:99.9%
答案: 【99.9999999%】

5、 问题:硅的晶体结构是（）形状。
选项：
A:无定形结构
B:六面体结构
C:平面结构
D:四面体结构
答案: 【四面体结构】

6、 问题:多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。
选项：
A:原子具有一定的动能，以便重新排列
B:要有排列标准
C:低温环境
D:排列好的原子能稳定下来
答案: 【原子具有一定的动能，以便重新排列;
要有排列标准;
排列好的原子能稳定下来】

7、 问题:在硅材料制备中产生的缺陷主要有（）、（）、（）和（）。
选项：
A:点缺陷
B:线缺陷
C:面缺陷
D:微缺陷
答案: 【点缺陷;
线缺陷;
面缺陷;
微缺陷】

8、 问题:硅圆片（即晶圆）的制备中需要进行切片，切片这一工序决定了硅片的（）（）（）（）参数？
选项：
A:晶向
B:厚度
C:平行度
D:翘度
答案: 【晶向;
厚度;
平行度;
翘度】

9、 问题:最常用的形成N型半导体的杂质有（）(  )和（）。
选项：
A:B
B:P
C:As
D:Sb
答案: 【P;
As;
Sb】

10、 问题:以下（）、（）、（）、（）选项属于硅材料的优点。
选项：
A:易于进行腐蚀加工
B:带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C:易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料
D:易于进行n型和p型掺杂
答案: 【易于进行腐蚀加工;
带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2;
易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料;
易于进行n型和p型掺杂】

11、 问题:制备半导体级硅的过程：制备工业硅 、生长硅单晶、提纯。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

12、 问题:目前使用的半导体材料主要有元素半导体、化合物半导体和杂质半导体三大类。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

13、 问题:单晶生长过程中使用到的籽晶的作用是作为排列的标准。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

14、 问题:硅晶体中出现些缺陷是无关紧要的，不会有什么大的影响。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

15、 问题:硅圆片制备中有一道工序是基准面研磨，主要是为了确定晶片的导电类型和晶向。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

16、 问题:硅在自然界中主要以（）和（）的形式存在。
答案: 【(以下答案任选其一都对)二氧化硅 硅酸盐;
硅酸盐 二氧化硅】

17、 问题:本征半导体在一定温度下，就会在热激发下产生（）和（）对，从而形成本征载流子浓度。
答案: 【(以下答案任选其一都对)自由电子 空穴;
空穴 自由电子】

18、 问题:从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（  ）、（ ）和（ ）。
答案: 【(以下答案任选其一都对)111 100 110;
100 110 111;
110 100 111】

19、 问题:多晶是由若干个（）小单晶构成的。
答案: 【取向不同】

20、 问题:拉单晶的工艺过程可分为熔硅、下种、（）、放肩、（）、（）和收尾。
答案: 【收颈 转肩 等径生长】

单元1：集成电路制造工艺概述 单元1《集成电路制造工艺》单元测验

1、 问题:微电子学的核心是集成电路。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

2、 问题:纳米是长度的单位，1纳米为1微米的1000倍。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

3、 问题:甚大规模集成电路ULSI出现于上世纪80年代。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

4、 问题:SOC的出现说明集成电路的规模越来越大，SOC是指芯片级的系统。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每（）个月翻一番。
答案: 【18】

7、 问题:芯片的特征尺寸越小，芯片的集成度越（），速度越（），性能越（）。
答案: 【高 快 好】

8、 问题:随着集成电路的发展，芯片尺寸和硅片直径越来越（）。
答案: 【大】

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