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本课程起止时间为:2021-03-01到2021-06-15

【作业】第1章 晶体二极管 第一章习题

1、 问题: 半导体中有          和          两种载流子,它们除了在电场作用下形成     电流外,还会在浓度差的作用下形成     电流。
评分规则: 【 第1-2空填写自由电子和空穴
第3空为漂移电流
第4空为扩散电流

2、 问题:在本征半导体中掺人     价元素的杂质可形成P型半导体材料,掺人   价元素的杂质可形成N型半导体材料。(A)三   (B) 四  (C)五  (D)六
评分规则: 【 A、C

3、 问题:当温度降低而其他条件不变时,晶体二极管的反向饱和电流将   。(A)增大   (B) 减小  (C)不变  (D)可能增大也可能减小
评分规则: 【 B

4、 问题:在如图(a)所示电路中,三只二极管参数相同,V-I特性示于下图(b)中。若A、B、C三端口电压分别为1V、2V、3V,求出端口D的电压值为_______
评分规则: 【 1.7V

5、 问题:设二极管为理想二极管,试判断下图电路中二极管D是否导通,并求VAO值。
评分规则: 【 D导通
VAO=15V

6、 问题:请写出如图所示数字电路的功能,二极管VD(on)=0.7V
评分规则: 【 三输入二极管或门电路

【作业】第2章 晶体三极管 第二章习题

1、 问题:判断题:构成晶体三极管的两个PN结是相互独立的。
评分规则: 【 错误

2、 问题:通常将vCE引起基区实际宽度变化而导致iB变化的效应称为                效应。
评分规则: 【 基区宽度调制

3、 问题:当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏时,它呈现的主要特性是正向受控作用,此时的工作模式称为     模式。(A)截至  (B) 饱和  (C)放大  (D)开关
评分规则: 【 C

4、 问题:在下图(a)所示电路中,三只二极管参数相同,示于下图 (b)中,晶体三极管参数为,导通电压VBE(on)=0.7V,beta=100。若A、B、C三端口电压分别为5V、4V、3V,试分析各二极管工作情况,求端口D的电压值。
评分规则: 【 A端所接二极管导通,输出电压=4V

5、 问题:如果某三极管ICQ≈IEQ=1mA,β=100,则其混合π形电路模型中gm≈      ,rbe≈      。
评分规则: 【 gm≈ICQ/VT=38.5mS,rbe≈β/gm=2.6kΩ

【作业】第3章 场效应管 第三单元习题

1、 问题:下图所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管属于何种类型。
评分规则: 【 N沟道耗尽型

2、 问题:试说明下图所示各管工作于什么区?
评分规则: 【 饱和区

3、 问题:3. 在如图所示电路中,假设两管mn、Cox相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA,若忽略沟道长度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
评分规则: 【 5mA

【作业】第四章 放大器基础 第四单元作业1

1、 问题:判断:共射放大器产生截止失真地原因,是它的静态工作点设置偏低。(   ) 
评分规则: 【

2、 问题:判断:两个单级放大电路空载的放大倍数均为-50,将它们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数一定为2500.
评分规则: 【

3、 问题:判断:共集电极放大电路的输入电阻小,输出电阻大。
评分规则: 【

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