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本课程起止时间为:2021-03-01到2021-06-30

第一章 半导体器件 半导体器件

1、 问题:N型半导体是在本征半导体中掺入(    )元素构成的。
选项:
A:五价
B:三价
C:四价
D:不能确定
答案: 【五价

2、 问题:P型半导体中多子为(    )。
选项:
A:空穴
B:电子
C:电子-空穴对
D:不能确定
答案: 【空穴

3、 问题:PN结外加正向电压时,扩散电流 (      )漂移电流。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不能确定
答案: 【大于

4、 问题:理想二极管电路如图所示,其输出电压为(    )。
选项:
A: +6V
B:-18V
C: 0V
D:-5V
答案: 【 +6V

5、 问题:理想二极管电路如图所示,其输出电压为(    )。
选项:
A:-6V
B:-1V
C:+6V
D:0V
答案: 【-6V

6、 问题:理想二极管电路如图所示,其输出电压为(   )。
选项:
A: -6V
B: -1V
C: -2V
D: -5V
答案: 【 -6V

7、 问题:PN结外加正向电压时,耗尽层将(    )。
选项:
A:变窄
B:变宽
C:不变
D:不能确定
答案: 【变窄

8、 问题:稳压管的稳压区是工作在(   )。
选项:
A:反向击穿
B:正向导通
C:反向截止
D:反向截止或击穿
答案: 【反向击穿

9、 问题:N沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于(   )范围之内。
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

10、 问题:测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为:① -2.3V,② -3V,③ -6.5V, 则该晶体管集电极为(    )。
选项:
A:③
B:①
C:②
D:无法确定
答案: 【

11、 问题:某MOSFET的各极电压如图所示,则此管工作在(    )区。
选项:
A:恒定电阻区
B:预夹断
C:可变电阻区
D:已夹断
答案: 【恒定电阻区

12、 问题:由硅二极管(假设均为理想二极管)组成的电路如图所示,电阻中的电流I为(   )mA。
选项:
A:-1.5
B:2
C:0.5
D:1.5
答案: 【-1.5

13、 问题:测得某NPN管的 ,由此可判定它工作在(     )区。
选项:
A:饱和
B:放大
C:截止
D:反向放大
答案: 【饱和

14、 问题:电路如图所示,设二极管均为理想的二极管,则输出电压为(    )V。
选项:
A:-6
B:6
C:0
D:12
答案: 【-6

15、 问题:硅二极管的正向压降在0.7V的基础上增加10%,它的电流将(   )。
选项:
A:增加10%以上
B:增加10%
C:增加小于10%
D:基本不变
答案: 【增加10%以上

16、 问题:电路如图所示,稳压管,其正向导通电压为0.7V,则等于(   )。
选项:
A:0.7
B:5
C:9.3
D:10
答案: 【0.7

17、 问题:测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为:① 2.3V,② 3V,③ 6V, 则该晶体管的集电极为(   )。
选项:
A:③
B:①
C:②
D:无法确定
答案: 【

18、 问题:杂质半导体主要用到了半导体物质的(     )特性。
选项:
A:热敏性
B:光敏性
C:掺杂性
D:无法确定
答案: 【掺杂性

19、 问题:PN结的击穿发生在(     )。
选项:
A:正向电压较大时
B:反向电压较小时
C:反向电压超过某一限度时
D:无法确定
答案: 【反向电压超过某一限度时

20、 问题:稳压管是利用PN结的(     )特性制成。
选项:
A:单向导电性
B:击穿特性
C:电容特性
D:无法确定
答案: 【击穿特性

21、 问题:PN结正向运用时,(     )电容起主要作用。
选项:
A:扩散
B:势垒
C:扩散和势垒
D:无法确定
答案: 【扩散

22、 问题:二极管的反向饱和电流会随着温度的升高而(     )。
选项:
A:升高
B:降低
C:不变
D:无法确定
答案: 【升高

23、 问题:下列情形下,二极管可以导通的是(     )。
选项:
A:P端接+5V,N端接+7V
B:P端接+5V,N端接+2V
C:P端接-3V,N端接+7V
D:P端接-5V,N端接-2V
答案: 【P端接+5V,N端接+2V

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