2024知到答案 材料科学基础（西安科技大学） 最新知到智慧树满分章节测试答案

第一章 单元测试

1、 问题:电磁力是原子间作用力的主要来源形式。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:均匀形核与非均匀形核的临界晶核尺寸是相等的。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

3、 问题:晶体的空间点阵是无限多种，但晶体结构是有限的。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

4、 问题:面心立方晶体结构与密排六方晶体结构的致密度和配位数均相等。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

5、 问题:sigma键的特点是（）
选项：
A:成键原子的电子云以肩并肩的方式
B:成键原子的电子云以头碰头的方式
C:键能相对较强
D:键长相对较短
答案: 【
成键原子的电子云以头碰头的方式
键能相对较强
键长相对较短
】

6、 问题:碳在γ－Fe一般存在于Fe的八面体间隙中，理论是可以溶解的碳的质量分数为（　　），实际中碳在Fe中的最大溶解度的质量分数为（　　）
选项：
A:50%
B:2.11%
C:30%
D:17.6%
答案: 【
2.11%
17.6%
】

7、 问题:

与晶面族{123}等价的晶面包括以下哪些？

选项：
A:（123）
B:（132）
C:（321）
D:（312）
答案: 【
（123）
（132）
（321）
（312）
】

8、 问题:

金属的塑性较好，从微观角度讲主要是因为（）

选项：
A:位错的形成和运动
B:晶面之间容易发生滑移
C:金属键中的自由电子被所有原子共享
D:金属原子易于运动
答案: 【
金属键中的自由电子被所有原子共享
】

9、 问题:立方晶系中，晶胞中原子数最多的是哪一种点阵类型？( )
选项：
A:简单立方
B:面心立方
C:体心立方
D:底心立方
答案: 【
面心立方
】

第二章 单元测试

1、 问题:

晶体缺陷不包括（）

选项：
A:0维点缺陷 
B:一维线缺陷
C:二维面缺陷
D:三维体缺陷
答案: 【
三维体缺陷
】

2、 问题:

位错是由晶体的两个原子面错排导致的。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

3、 问题:

伯氏矢量可用来表征位错的方向。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

4、 问题:

刃型位错的滑移面是由位错线与柏氏矢量所构成的平面，且是惟一的。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

5、 问题:

关于位错的攀移的描述中正确的是（）：

选项：
A:刃型位错存在攀移运动
B:螺型位错不会发生攀移
C:攀移比滑移需要的能量高
D: 攀移是位错滑移运动的结果
答案: 【
刃型位错存在攀移运动
螺型位错不会发生攀移
攀移比滑移需要的能量高
】

6、 问题:

位错的交割带来的影响有（）

选项：
A:影响位错进一步的运动
B:影响材料的强度等性能
C:两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段
D:位错的交割又可细分为割阶与扭折
答案: 【
影响位错进一步的运动
影响材料的强度等性能
两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段
位错的交割又可细分为割阶与扭折
】

7、 问题:

研究位错的应变场应同时包括位错中心区和非中心区。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

8、 问题:

位错的应变能总是与材料的弹性模量成正相关关系。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

9、 问题:

关于位错的线张力的描述错误的是（）：

选项：
A:线张力与材料弹性模量成正比  
B:线张力与伯氏矢量的模的平方成正比
C:线张力与弯曲半径r成反比 
D:线张力与材料的泊松比成反比
答案: 【
线张力与材料的泊松比成反比
】

10、 问题:

柯氏气团的作用包括（）：

选项：
A:降低了晶体的应变能
B:提高了位错的稳定性  
C:使位错线运动变得困难
D:导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高
答案: 【
降低了晶体的应变能
提高了位错的稳定性  
使位错线运动变得困难
导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高
】

第三章 单元测试

1、 问题:菲克第一定律描述了一种扩散物质的质量浓度不随时间变化的稳态过程，而第二定律则描述了一种扩散物质的质量浓度随时间变化的非稳态过程。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】