2021 模拟电子电路与技术基础(西安电子科技大学) 最新满分章节测试答案
本答案对应课程为:点我自动跳转查看
本课程起止时间为:2021-03-08到2021-06-30
第四章：常用半导体器件原理、特性及参数 常用半导体器件原理、特性及参数
1、 问题:N 型半导体是在本征半导体内掺入
选项：
A:三价元素, 如硼等
B:四价元素, 如锗等
C:五价元素, 如磷等
D:二价元素
答案: 【五价元素, 如磷等 】
2、 问题:双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
选项：
A:e结正偏, c结正偏
B:e结反偏, c结正偏
C:e结正偏, c结反偏
D:e结反偏, c结反偏
答案: 【e结正偏, c结反偏】
3、 问题:测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以及各管脚为
选项：
A:锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B:锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C:硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D:硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
答案: 【硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c】
4、 问题:测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为
选项：
A:NPN管
B:PNP管
C:PNP管
D:NPN管
答案: 【NPN管】
5、 问题:某管特性曲线如下图所示, 则该为
选项：
A:P沟道增强型MOS场效应管
B:N沟道结型场效应管
C:N沟道耗尽型MOS场效应管
D:N沟道增强型MOS场效应管
答案: 【N沟道增强型MOS场效应管】
6、 问题:N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
7、 问题:漂移电流与电场强度成正比
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
8、 问题:扩散电流与载流子浓度梯度成正比
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
9、 问题:二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
10、 问题:本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
11、 问题:施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
12、 问题:二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2–0.3V
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
13、 问题:二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
14、 问题:只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
15、 问题:二极管最重要的特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
16、 问题:PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
17、 问题:温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
18、 问题:稳压管电路如下图, 若Ui=20V, RL=250Ω, 稳压管击穿电压UZ=10V, 限流电阻R=100Ω, 则稳压管流过的工作电流为60mA
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
19、 问题:理想二极管的正向导通电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
20、 问题:双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
21、 问题:场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
22、 问题:双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
23、 问题:结型场效应管的漏极与源极可互换使用
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
24、 问题:场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
25、 问题:无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
26、 问题:场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
27、 问题:在相同工艺和外加电压情况下, MOS场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L越大),漏极电流将越大, 跨导gm也越大
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
28、 问题:MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
第二章：集成运算放大器的基本应用 集成运算放大器的基本应用
1、 问题:欲将正弦信号叠加一个直流电压, 应选用：
选项：
A:比例放大器
本文章不含期末不含主观题！！
本文章不含期末不含主观题！！
支付后可长期查看
有疑问请添加客服QQ 2356025045反馈
如遇卡顿看不了请换个浏览器即可打开
请看清楚了再购买哦，电子资源购买后不支持退款哦
