第一章 单元测试

1、 问题:以离子键为主的晶体所具有的特点包括:( )。
选项:
A:熔点高
B:塑性差
C:硬度低
D:导电性差
答案: 【
熔点高
塑性差
导电性差

2、 问题:空间点阵是由( )在空间作有规律的重复排列。
选项:
A:原子
B:离子
C:几何点
D:分子
答案: 【
几何点

3、 问题:常见金属的晶体结构有体心立方、面心立方和密排六方,均属于14种布拉菲点阵中的空间点阵类型。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、 问题:立方晶系中,具有相同指数的晶向与晶面( )。
选项:
A:相互垂直
B:45°相交
C:相互平行
D:夹角不确定
答案: 【
相互垂直

5、 问题:已知面心立方Cu的点阵常数为0.361 nm,其密排面的晶面间距为( )。
选项:
A:0.2084 nm
B:0.361 nm
C:0.1042 nm
D:0.1276 nm
答案: 【
0.2084 nm

6、 问题:下列具有密排六方结构的金属有:( )。
选项:
A:Mg
B:Al
C:Fe
D:Zn
答案: 【
Mg
Zn

7、 问题:已知γ-Fe的点阵常数为0.3633 nm,则其原子半径为( )。
选项:
A:0.1573 nm
B:0.1284 nm
C:0.3633 nm
D:0.2568 nm
答案: 【
0.1284 nm

8、 问题:下列相中,其晶体结构与组成元素的晶体结构均不相同的为:( )。
选项:
A:间隙固溶体
B:置换固溶体
C:间隙化合物
D:正常价化合物
答案: 【
间隙化合物
正常价化合物

9、 问题:固溶体中的溶质原子都是混乱随机的占据固溶体的晶格阵点或间隙位置。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

10、 问题:尺寸因素化合物主要受( )尺寸因素控制。
选项:
A:原子
B:电子
C:分子
D:化合物
答案: 【
原子

第二章 单元测试

1、 问题:晶体中由于点缺陷的存在,使其性能发生变化,包括:( )。
选项:
A:电阻增大
B:电阻减小
C:密度减小
D:密度增大
答案: 【
电阻增大
密度减小

2、 问题:因为位错的晶格畸变区是一条几何线,所以将位错称为线缺陷。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、 问题:以下关于柏氏矢量的描述中,错误的是:( )。
选项:
A:柏氏矢量越大,位错导致的点阵畸变越严重
B:柏氏回路的起点不同,则得到的柏氏矢量方向也不同
C:多个位错交汇于一点时,流入节点的位错与流出节点的位错的柏氏矢量和相等
D:当位错运动时,其柏氏矢量会发生变化
答案: 【
柏氏回路的起点不同,则得到的柏氏矢量方向也不同
当位错运动时,其柏氏矢量会发生变化

4、 问题:不管是刃型位错,还是螺型位错,当它们在一个滑移面上运动受阻时,都可能发生交滑移。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

5、 问题:当位错在某一个滑移面上滑移时,如果与其它位错相遇,可能会形成( )。
选项:
A:割阶
B:扭折
C:无影响
D:其他选项都有可能发生
答案: 【
其他选项都有可能发生

6、 问题:下列选项中属于面心立方晶体全位错的是( )。
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

7、 问题:以下关于肖克莱不全位错的描述,错误的是( )。
选项:
A:可能是刃型、螺型或混合型位错
B:既可以滑移,也可以攀移
C:位错线、柏氏矢量、滑移面共面
D:位错线为平面曲线
答案: 【
既可以滑移,也可以攀移

8、 问题:

面心立方晶体的(111)晶面按ABCABCACABCABC……顺序堆垛时,其中含有( )。

选项:
A:一片插入型层错
B:一片抽出型层错
C:一片插入或抽出型层错
D:其他选项都不是
答案: 【
一片抽出型层错

9、 问题:两肖克莱不全位错的柏氏矢量之间呈60°角,这两个位错之间( )。
选项:
A:相互排斥
B:相互吸引
C:没有相互作用
D:其他选项都可能发生
答案: 【
相互排斥

10、 问题:下列不属于晶体中内界面缺陷的是( )。
选项:
A:晶界
B:孪晶界
C:层错
D:相界
答案: 【
层错

第三章 单元测试

1、 问题:对于纯金属来说,实际冷却曲线上的水平台就是该金属的理论结晶温度。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【


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