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本课程起止时间为:2021-03-17到2021-07-02
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【作业】第1章 半导体器件基础 第1章作业

1、 问题:流过硅二极管电流时,二极管两端压降,求电流和10mA时,二极管两端压降分别为多少?
评分规则: 【

2、 问题:题图1.7中二极管是理想的,画出该电路的电压传输特性。若,画出的波形。 题图1.7
评分规则: 【时,;当时,
时,。其电压传输特性略。其输出波形略。

3、 问题:题图1.9中二极管是理想的,求图1.9(a)~(d)中的电压和电流 题图1.9
评分规则: 【 (a)图,
(b)图,
(c)图,
(d)图,

4、 问题:在题图1.11所示电路中,取。 ① 设二极管的导通电压,忽略其导通电阻,画出电压传输特性曲线; ② 若二极管的导通电压,导通电阻, 画出其传输特性曲线。 题图1.11
评分规则: 【 ① 当时,
时,
时,。其电压传输特性曲线略。
② 当时,
时,
时,。其电压传输特性曲线略。

5、 问题:二极管电路可以实现数字逻辑功能。题图1.13中二极管都是理想的,分别求出图(a)(b)中的关系。若分别对应逻辑量对应逻辑量,写出的逻辑关系。 题图1.13
评分规则: 【 (a) max{},。(b) min{},

6、 问题:一PNP型晶体三极管的,工作在放大区且时,。若连接成共射组态,调整发射结电压,使三极管工作在放大区且,则此时的为多大?
评分规则: 【

7、 问题:在题图1.22所示电路中,已知,求晶体三极管进入饱和区时的最大值。 题图1.22
评分规则: 【

8、 问题:两个三极管工作在放大区,看不出它们的型号,测得各引脚的电位分别如题图1.23所示,判断是NPN管还是PNP管,是硅管还是锗管,识别引脚并分别标上E、B、C。 题图1.23
评分规则: 【 (a)图,锗管,NPN型,①脚E,②脚C,③脚B。
(b)图,硅管,PNP型,①脚C,②脚E,③脚B。

9、 问题:题图1.24电路中,测得,若三极管,求 题图1.24
评分规则: 【

10、 问题:由实验测得两种场效应管具有如题图1.27(a),(b)所示的转移特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。 题图1.27
评分规则: 【 (a)图为P沟道MOS耗尽型场效应管,夹断电压V。
(b)图为P沟道MOS增强型场效应管,开启电压V。

第1章 半导体器件基础 第1章单元测验1

1、 问题:(1) 半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

2、 问题:(2) 半导体中的空穴是电子脱离共价键后留下的空位。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

3、 问题:(3) 半导体中的空穴是带正电的离子。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

4、 问题:(4) 本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

5、 问题:(5) 本征半导体在温度升高后,自由电子和空穴数目都不变。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

6、 问题:(6) 本征半导体在温度升高后,自由电子和空穴数目都增加,但增量相同。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

7、 问题:(7) 掺杂半导体因含有杂质,所以在制造半导体器件时是没有用处的。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

8、 问题:(8) 在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

9、 问题:(9) 由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

10、 问题:(10) PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

11、 问题:(11) PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

12、 问题:(12) 稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态( )。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

13、 问题:(13) 稳压管是一种特殊的二极管,不允许工作在正向导通状态( )。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

14、 问题:(14) 由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同,所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

15、 问题:(15) 晶体三极管具有两个PN结,因此把两个二极管反向串联起来,也能具有放大能力。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

16、 问题:(16) 测出某晶体管的共基电流放大系数小于1,表明该管子没有放大能力。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

17、 问题:(17) h参数模型可以用于输入为小信号、输出为大信号的情况。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

18、 问题:(18) h参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

19、 问题:(19) 晶体管的输入电阻是一个动态电阻,所以它与静态工作点无关。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

20、 问题:(20) 场效应管的跨导。( )
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

21、 问题:(21) 场效应管的跨导
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

第1章 半导体器件基础 第1章单元测验2

1、 问题: 在____中,空穴浓度大于电子浓度。

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