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本课程起止时间为:2022-03-01到2022-07-17

绪论、半导体基础知识及二极管电路(一) 第一周单元测验

1、 问题:以下不属于半导体独特性质的是_
选项:
A:掺杂特性
B:热敏特性
C:光敏特性
D:热胀冷缩
答案: 【热胀冷缩

2、 问题:设室温情况下某二极管已经正向导通,则当其正偏电压增加100mV时,正偏电流的变化是______。
选项:
A:增加100%
B:基本不发生变化
C:远大于原值
D:远小于原值
答案: 【远大于原值

3、 问题:设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是______。
选项:
A:远大于原值
B:远小于原值
C:变为0
D:基本不发生变化
答案: 【基本不发生变化

4、 问题:魔电部分无法使用以前电路分析学的知识。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

5、 问题:不管温度有多高,本征半导体中自由电子的浓度等于空穴的浓度。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

6、 问题:N型半导体对外呈现出带有负电荷的特性,P型半导体则正好相反。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

7、 问题:正常情况下,稳压二极管和变容二极管都必须工作在反偏状态 。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

8、 问题:二极管模型有很多种,其中交流小信号模型最符合实际情况,故而应用范围也最广。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

9、 问题:.在P型半导体中:多子是__,少子是_(空穴、自由电子);在室温下,当温度升高时,空穴的浓度将会(升高、降低、近似不变),自由电子的浓度将会___(升高、降低、近似不变)。
答案: 【空穴,自由电子,近似不变,升高

10、 问题:温度每增加10摄氏度,硅或锗二极管的反向饱和电流约增为原来的______倍
答案: 【2

11、 问题:二极管的伏安特性曲线可以被分为三个工作区域,分别为正向工作区、反向工作区和______。
答案: 【反向击穿区

【作业】绪论、半导体基础知识及二极管电路(一) 第一周仿真作业

1、 问题:本周仿真作业为二极管特性曲线仿真。要求:1.从元器件库中自选两个二极管,分别仿真其伏安特性曲线。2.对比这两个伏安特性曲线,寻找其差别。3.将仿真电路图及结果截图,合并成一张图片,并对仿真结果进行简单分析。4.上传该图片
评分规则: 【 本题总分5分,主要考察同学对二极管基本伏安特性的掌握程度,并加强对仿真软件的熟悉。具体来说,包括如下几个方面:仿真电路的搭建是否正确,各元器件的参数设置是否合适,各探针的设置是否无误。本部分分值3分。不同二极管的伏安特性有所不同,是否能对仿真结果进行合理的说明和分析。扩展(本部分不纳入评分要求,仅供评分者自己进一步熟悉仿真软件及课本所学知识使用):可以研究如果将信号源换成不同频率(比如1Hz、1kHz、1MHz、1GHz)的交流源,观察二极管两端的电压波形并尝试对其进行分析。思考是否能够仿真出二极管的反向击穿现象,并进行验证和分析。搭建电路,对稳压二极管进行仿真。

【作业】半导体基础知识及二极管电路(二) 第二周仿真作业

1、 问题:仿真如下电路图。要求:1.可自行在元器件库中任选一个二极管模型,无需修改其参数。2.分析电路的直流传输特性并说明二极管工作状态的变化。3.设输入信号是均值为1V、振幅为4V、频率为1kHz的正弦波,仿真输出信号的波形。4.设输入信号是电压最大值6V、最小值0V、周期1ms、上升时间0.5ms的三角波,仿真输出信号的波形
评分规则: 【 本仿真题要求对一个并联型双向限幅电路的输入输出特性进行仿真,其原型来自于课本第一章的仿真,但在输入信号上产生了一些变化,故结果也有所不同,具体如下:第1、2问并没有什么区别,能正常实现即可,这两问共3分。第3问中正弦波的设置导致输出信号的正半周被限幅,负半周可正常通过,本问共4分。第4问中将课本的波形改为三角波,同样会出现限幅现象。此外,能否正确设置三角波也是题中应有之义。本问共4分。同学们可以进一步对该仿真进行扩展,例如改变电路中二极管的方向、电源的方向或取值,也可以修改信号源的振幅、频率等属性,并进一步观察仿真结果是否符合预期。

半导体基础知识及二极管电路(二) 第二周单元测验

1、 问题:二极管正向导通时的交流电阻表达式如下______。
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

2、 问题:如图所示电路中,若二极管采用恒压降模型( 伏),且输入均值为零、振幅为10V的正弦波,则输出信号的波形最有可能为______。
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

3、 问题:二极管的反向电流大小主要决定于少子浓度。            
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

4、 问题:半波整流电路只能在输入信号的正半周或负半周时有输出。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

5、 问题:整流电路与稳压电路均使用了二极管的开关特性来实现电路功能。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

6、 问题:由于全波整流电路同时利用了输入正弦波信号的正半周和负半周,故其输出信号的均值为0。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

7、 问题:若二极管的工作点电流增大,则其静态电阻值将变______。
答案: 【

【作业】双极型晶体管及其放大电路(一) 第三周仿真作业

1、 问题:三极管特性曲线仿真。要求:1.从元器件库中分别选择一个NPN、一个PNP管,仿真其伏安特性曲线。2.对比这两个伏安特性曲线,寻找其差别。
评分规则: 【 本题要求仿真并比对两个不同管型三极管的特性曲线。要想得到伏安特性曲线的难度不大,会使用直流扫描仿真即可。故第1问2分。但在对比伏安特性曲线时,应能考虑到NPN、PNP管的电压极性、电流方向存在不同,并反过来可能在探针设置上有所体现,且能够在对比中说明相应的结果。故第2问3分。本仿真无扩展指导,同学们可自行扩展。

双极型晶体管及其放大电路(一) 第三周单元测验

1、 问题:设有一PNP型三极管的发射结正偏、集电结正偏,则关于各极电位描述中正确的是_
选项:
A:集电极电位最低
B:基极电位最低
C:发射极电位最低
D:根据具体情况而定
答案: 【基极电位最低

2、 问题:PNP型晶体管工作在饱和区时______。
选项:
A:发射结正偏,集电结反偏     
B:发射结反偏,集电结正偏
C:发射结正偏,集电结正偏
D:发射结反偏,集电结反偏
答案: 【发射结正偏,集电结正偏

3、 问题:厄尔利(Early)电压反映的是晶体管的______。
选项:
A:温度效应     
B:击穿特性
C:放大能力
D:基区调宽效应
答案: 【基区调宽效应

4、 问题:                       。
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

5、 问题:给放大电路设置合适直流工作点的目的是C
选项:
A:使得输入信号能够有效的送给晶体管
B:使得输出信号能够有效的送给负载
C:保证晶体管始终工作在放大区
D:早期晶体管工艺不成熟时的方法,目前已可不用这种方法
答案: 【保证晶体管始终工作在放大区

6、 问题:在下图的四个电路形式中,能正常完成对交流输入信号放大的电路是______。
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

7、 问题:通常的晶体三极管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

8、 问题:某器件的电流、电压关系如图所示,则可以用(室温))计算Q点处的交流电阻
选项:

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