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本课程起止时间为:2020-03-05到2020-07-01
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【作业】1 半导体器件 二极管(1.1-1.5)作业

1、 问题:温度越高时,本征半导体内部的本征激发产生的载流子 。
评分规则: 【 越多;或者浓度越大;

2、 问题:硅晶体内部由本征激发产生的载流子有 和 两种。
评分规则: 【 空穴、自由电子

3、 问题:纯净的硅晶体内掺入磷原子后得到 型半导体;其中的多子是 。
评分规则: 【 N、自由电子

4、 问题:PN结中的内电场方向是由 区指向 的。
评分规则: 【 N型;P型

5、 问题:PN结中有多子扩散和少子漂移两种运动。一定外部条件下,这两种运动会达到 。
评分规则: 【 动态平衡

6、 问题:二极管加正向偏置电压是指 极电位更高。
评分规则: 【 阳极

7、 问题:稳压二极管做稳压时,工作在 状态。
评分规则: 【 反向击穿

8、 问题:稳压管反向击穿电流很大变化范围内,管子两端电压变化 。
评分规则: 【 很小

9、 问题:稳压管的动态电阻rZ越 ,稳压性能越好。
评分规则: 【

10、 问题:硅材料二极管死区电压的典型值是 ;正向导通电压范围是 。
评分规则: 【 0.5V;0.6~0.8V

11、 问题:请说明:为什么二极管反向饱和电流的大小与外加电压大小无关,却与温度有关?
评分规则: 【 二极管反向饱和电流是由少子漂移形成的;3分少子的数量决定了反向饱和电流的大小;5分少子是由本征激发产生的;8分温度是影响本征激发的主要因素。10分

12、 问题:如图所示电路中,二极管正向压降忽略不计,则U0的大小是 。电流I的大小是 。
评分规则: 【 4V;0.4mA

1 半导体器件 第一单元测验

1、 问题:在杂质半导体中多子的数量主要与 有关。
选项:
A:杂质类型
B:掺杂浓度
C:温度
D:光照
答案: 【掺杂浓度

2、 问题:在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是 、N型半导体中的电流主要是 ,
选项:
A:电子电流、空穴电流
B:空穴电流、电子电流
C:离子电流、空穴电流
D:离子电流、电子电流
答案: 【空穴电流、电子电流

3、 问题:稳压管工作在稳压状态下,是工作在 区。
选项:
A:正向导通
B:正向但不导通
C:反向击穿
D:反向截止
答案: 【反向击穿

4、 问题:测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1=3.5V, V2=2.9V, V3=12V,关于管子的类型、材料及三个极的判断,正确的是 。
选项:
A:NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C
B:NPN型锗管,1、2、3依次为B、E、C
C:PNP型硅管,1、2、3依次为C、B、E
D:PNP型锗管,1、2、3依次为C、B、E
答案: 【NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C

5、 问题:PNP型三极管工作在线性区的外部条件是 。
选项:
A:VE<VB <VC
B:VC<VB<VE
C:VE<VC<VB
D:VB<VC<VE
答案: 【VC<VB<VE

6、 问题:对于二极管,以下说法不正确的是 。
选项:
A:二极管加正向电压时,二极管就导通
B:二极管的反向饱和电流的大小受温度影响大
C:二极管的正向导通压降,硅管比锗管高
D:同样外部条件下,硅管的反向饱和电流比锗管小
答案: 【二极管加正向电压时,二极管就导通

7、 问题:对于PN结,以下说法正确的是 。
选项:
A:P型半导体带正电
B:N型半导体带负电
C:本征半导体对外不显电性
D:杂质半导体对外显电性
答案: 【本征半导体对外不显电性

8、 问题:在杂质半导体中少子的数量主要与 有关。
选项:
A:杂质类型
B:掺杂浓度
C:温度
D:光照
答案: 【温度

9、 问题:NPN型三极管工作在线性区的外部条件是 。
选项:
A: VE<VC<VB
B:VC<VB<VE
C:VB<VC<VE
D:VE<VB<VC
答案: 【VE<VB<VC

10、 问题:测得某三极管三个电极上的电流大小和方向如图所示,以下说法正确的是 。
选项:
A:管子为NPN型
B:管子为PNP型
C:左边的管脚为基极
D:中间的管脚为集电极
E:右边的管脚为发射极
F:管子的β值约为40
答案: 【管子为PNP型;
右边的管脚为发射极;
管子的β值约为40

11、 问题:已知某三极管β=50,今测得三个电极上的电流大小和方向如下图所示,则以下说法正确的是 。
选项:
A:管子工作正常的放大状态
B:管子工作在非正常状态
C:管子工作正常的饱和状态
D: 管子工作正常的截止状态
E:中间的管脚为集电极
F:右边的管脚为集电极
G:左边的管脚为基极
答案: 【管子工作正常的饱和状态;
右边的管脚为集电极

12、 问题:在下图所示的电路中,稳压二极管DZ1和DZ2的稳定电压分别是9V和12V,其正向压降可忽略不计,则 。
选项:
A:DZ1工作在稳压状态
B:DZ2工作在稳压状态
C:DZ1工作在导通状态
D:DZ2工作在导通状态
E:Uo为9V
F:Uo为12V
答案: 【DZ1工作在稳压状态;
DZ2工作在导通状态;
Uo为9V

13、 问题:图1所示电路中,忽略D上的正向管压降,则 。
选项:
A:D导通
B:D截止
C:Uo为4V
D:Uo为8V
答案: 【D导通;
Uo为4V

14、 问题:下图所示电路中,忽略D上的正向管压降,则 。
选项:
A:D1导通
B:D2导通
C:D3导通
D:电阻R上的电流为3mA
E:电阻R上的电流为6mA
答案: 【D3导通;
电阻R上的电流为3mA

15、 问题:电路如图6所示,已知三极管的参数β=50,U(BR)CEO=25V,ICM=20mA,PCM=120mw,则以下参数选择中,不能保证管子工作在安全工作区的是 。
选项:
A:UCC取12V,RC选择1.5kΩ
B:UCC取30V,RC选择3kΩ
C:UBB取5V,RB选择1kΩ

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