2021 电力电子技术(西南交通大学)1463617450 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-19到2021-07-12
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第一章电力电子技术概论第一章单元测试

1、问题:电力电子器件一般工作在（）状态。
选项：
A:开关
B:放大
C:截止
D:开关或放大
答案: 【开关】

2、问题:1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生
选项：
A:电子管
B:晶闸管
C:IGBT
D:MOSFET
答案: 【晶闸管】

3、问题:电力电子技术包括（）基本变换
选项：
A:DC-DC
B:DC-AC
C:AC-DC
D:AC-AC
答案: 【DC-DC;
DC-AC;
AC-DC;
AC-AC】

4、问题:模块化可以提高电力电子装置的（）
选项：
A:功率密度
B:体积
C:可靠性
D:抗干扰能力
答案: 【功率密度;
可靠性】

5、问题:电力电子技术研究的对象是电力电子器件的应用、电力电子电路的电能变换原理和电力电子装置的开发与应用。.
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、问题:电力电子技术是利用（）对电能进行（控制、转换和传输）的技术.
答案: 【(以下答案任选其一都对)电力电子器件;
功率半导体器件】

1、问题:什么是电力电子技术‍
评分规则: 【电力电子技术是利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术
】

1、问题:MOSFET属于（）器件
选项：
A:单极性
B:双极性
C:多极性
D:复合性
答案: 【单极性】

2、问题:（）二极管的工作频率一般低于1KHz，具有容量大的优点。
选项：
A:快速恢复
B:整流
C:肖特基
D:发光
答案: 【整流】

3、问题:一个电力电子器件的功率损耗包括（）。
选项：
A:通态损耗
B:断态损耗
C:开关损耗
D:无功功率损耗
答案: 【通态损耗;
断态损耗;
开关损耗】

4、问题:一个电力电子系统包括（）部分。‍
选项：
A:控制电路
B:信号检测电路
C:保护和驱动电路
D:主电路
答案: 【控制电路;
信号检测电路;
保护和驱动电路;
主电路】

5、问题:按照器件能够被控的程度，可以将电力电子器件分为（）
选项：
A:半控型器件
B:全控型器件
C:不可控器件
D:可控器件
答案: 【半控型器件;
全控型器件;
不可控器件】

6、问题:电力二极管的主要类型包括（）。
选项：
A:普通二极管
B:快恢复二极管
C:肖特基二极管
D:发光二极管
答案: 【普通二极管 ;
快恢复二极管;
肖特基二极管;
发光二极管】

7、问题:晶闸管有三个电极，分别是（），（）和（）。
选项：
A:阳极
B:阴极
C:门极
D:基极
答案: 【阳极;
阴极;
门极】

8、问题:当开关频率较高时，电力电子器件的损耗80%为开关损耗。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、问题:在高速的开关状态下，过小的结电容会导致二极管的单向导电性变差。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

10、问题:半控型电力电子器件控制极只能控制器件的导通，而不能控制器件的关断。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

11、问题:为减小开关损耗，提高效率，电力电子器件一般工作在（）状态。‍
答案: 【开关】

12、问题:二极管两端所加正向电压过高时，会引起（）现象
答案: 【(以下答案任选其一都对)正向击穿;
热击穿】

13、问题:二极管两端施加反向电压过高时，会引起（）现象
答案: 【(以下答案任选其一都对)雪崩击穿;
反向过压击穿】

1、问题:电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
选项：
A:电压
B:电流
C:电阻
D:功率
答案: 【电压】

2、问题:电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。
选项：
A:正
B:负
C:—
D:—
答案: 【正】

3、问题:属于全控型器件的是（）。
选项：
A:晶闸管
B:电力MOSFET
C:IGBT
D:GTR
E:GTO
答案: 【电力MOSFET;
IGBT;
GTR;
GTO】

4、问题:属于电流驱动的器件是（）

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