2021 电力电子技术(南京工业职业技术大学)1463184457 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-01到2021-06-29
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第二章 电力电子器件 第二章单元测验

1、 问题:1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答案: 【答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。】

2、 问题:2. 使晶闸管导通的条件是什么？
答案: 【答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。】

【作业】第二章 电力电子器件 2.4 典型全控型器件

1、 问题:分别说明什么是不可控型、半控型和全控型电力电子器件。
评分规则: 【 （1）不可控型：其开关性能仅取决于施加于器件阳、阴极间的电压极性。（2）半控型 在其阳、阴极间加正向电压，同时在门极和阴极间输入正向控制电压，控制其开通。器件一旦开通，就不能再通过门极来控制关断。（3）全控型 控制端不仅可控制其开通，而且也能控制其关断。
】

2、 问题:GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
评分规则: 【
】

【作业】第二章 电力电子器件 第二章作业

1、 问题:下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。A. GTRB. MOSFETC. IGBT
评分规则: 【 A
】

2、 问题:比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。A. GTOB. GTRC. MOSFET
评分规则: 【 C
】

3、 问题:在下列全控器件中, 属于电压控制型的器件是（）。A. P-MOSFETB. GTOC. GTRD. IGBT
评分规则: 【 D
】

4、 问题:下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。A. P-MOSFETB. GTOC. GTRD. IGBT
评分规则: 【 AD
】

【作业】第二章 电力电子器件 2.3 晶闸管

1、 问题:晶闸管内部有几个PN结?外部有哪几个电极？双向晶闸管有哪几个电极？
评分规则: 【 有 3个PN结；有3个电极：A、K、G;第一阳极T1、 第二阳极T2、和 门极G
】

2、 问题:普通晶闸管的额定电流是用什么电流表示？双向晶闸管的额定电流用什么电流表示？
评分规则: 【 普通晶闸管的额定电流用平均值表示；双向晶闸管的额定电流用有效值表示。
】

3、 问题:双向晶闸管通常用在什么类型的变换电路中？其外部有几个电极？
评分规则: 【 双向晶闸管通常用于交流变换电路中的，其外部有3个电极。
】

4、 问题:某晶闸管型号规格为KP200-8，试问型号规格代表什么意义?
评分规则: 【 KP代表普通型晶闸管，200代表其晶闸管的额定电流为200A，8代表晶闸管的正反向峰值电压为800V。
】

5、 问题:某晶闸管型号规格为KS100-3，试问型号规格代表什么意义?
评分规则: 【 双向晶闸管、100A、300V。
】

6、 问题:晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?
评分规则: 【 晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阴极间施加正向电压，并在门极和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。导通后流过晶闸管的电流由电源和负载阻抗决定，负载上电压由电源电压决定。
】

7、 问题:晶闸管的关断条件是什么?　如何实现?　
评分规则: 【 （1）晶闸管的关断条件是要使晶闸管的阳极电流IA减小到维持电流IH以下，使晶闸管内部的电流正反馈无法进行，进而实现晶闸管的关断。（2）增大负载阻抗、减小阳极电压或使其反向。
】

8、 问题:试说明晶闸管有哪些派生器件？
评分规则: 【 快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
】

9、 问题:请简述光控晶闸管的有关特征。
评分规则: 【 答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。
】

10、 问题:型号为KP100-3，维持电流IH=4mA的晶闸管，使用在下图所示电路中是否合理，为什么?（暂不考虑电压、电流裕量）
评分规则: 【
】

【作业】第二章 电力电子器件 2.5 电力电子器件总结

1、 问题:请在空格内标出下面元件的英文大写简称：电力晶体管（　）；可关断晶闸管（ ）；绝缘栅双极型晶体管（ ）；IGBT是（ ）和（ ）的复合管。目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有（ ）、（ ）、（ ）、（ ）几种。并写出它们的电气符号。
评分规则: 【
】

2、 问题:试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
评分规则: 【
】

【作业】第二章 电力电子器件 2.4 典型全控型器件（2次提交）

1、 问题:请在空格内标出下面元件的英文大写简称：电力晶体管（　）；可关断晶闸管（ ）；绝缘栅双极型晶体管（ ）；IGBT是（ ）和（ ）的复合管。目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有（ ）、（ ）、（ ）、（ ）几种。并写出它们的电气符号。
评分规则: 【
】

2、 问题:分别说明什么是不可控型、半控型和全控型电力电子器件。
评分规则: 【 （1）不可控型：其开关性能仅取决于施加于器件阳、阴极间的电压极性。（2）半控型 在其阳、阴极间加正向电压，同时在门极和阴极间输入正向控制电压，控制其开通。器件一旦开通，就不能再通过门极来控制关断。（3）全控型 控制端不仅可控制其开通，而且也能控制其关断。
】

【作业】第二章 电力电子器件 2.5 电力电子器件总结（2次提交）

1、 问题:试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
评分规则: 【
】

2、 问题:GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
评分规则: 【
】

第三章 整流电路 第三章单元测验

1、 问题:三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b两相的自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？
答案: 【答：三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b两相之间换相的的自然换相点不是同一点。它们在相位上相差180°。】

2、 问题:有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接法，如果它们的触发角都是a，那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说，例如都是a相，在相位上差多少度？
答案: 【答：相差180°】

3、 问题:单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？