2020 模拟电子技术(广东工业大学) 最新满分章节测试答案

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第2讲（第2章常用半导体器件续 1）第2章测试

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1、问题:N型半导体是在本征半导体中掺入（）
选项：
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 【五价元素】

2、问题:P型半导体是在本征半导体中掺入（）
选项：
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 【三价元素】

3、问题:当温度升高时，二极管的反向饱和电流会（）。
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:随机态
答案: 【增大】

4、问题:当温度升高时，二极管导通压降会（）。
选项：
A:增大
B: 减小
C:不变
D:随机态
答案: 【减小】

5、问题:PN结电容包括（）。
选项：
A:势垒电容和扩散电容
B:耦合电容和旁路电容
C:垒电容和耦合电容
D:散电容和旁路电容
答案: 【势垒电容和扩散电容】

6、问题:本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、问题:P型半导体带正电，N型半导体带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、问题:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、问题:PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

10、问题:在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

11、问题:PN结电容包括（）。
选项：
A:势垒电容和扩散电容
B:耦合电容和旁路电容
C:垒电容和耦合电容
D:散电容和旁路电容
答案: 【势垒电容和扩散电容】

1、问题:场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。
选项：
A:栅源电流
B:栅源电压
C:漏源电流
D:漏源电压
答案: 【栅源电压】

2、问题:增强型NMOS管的开启电压（）。
选项：
A:大于零
B:小于零
C:等于零
D:大于零或等于零
答案: 【大于零】

3、问题:增强型PMOS管的开启电压（）。
选项：
A:大于零
B:小于零
C:等于零
D:小于零或等于零
答案: 【小于零】

4、问题:（）场效应管不能采用自偏压电路。
选项：
A:增强型
B:耗尽型
C:结型
D:增强型和耗尽型
答案: 【增强型】

5、问题:共漏极放大电路的电压增益不能超过（）。
选项：
A:1.0
B:2.0
C:10
D:100
答案: 【1.0】

6、问题:某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。
选项：
A:N沟道结型管
B:增强型PMOS管
C:耗尽型PMOS管
D:耗尽型NMOS管
答案: 【耗尽型PMOS管】

7、问题:场效应管的低频跨导gm是常数。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【不是常数，与栅源电压有关。】

8、问题:结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【PN结反向偏置时内阻很大。】

9、问题:场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【只有一种载流子。】

10、问题:结型场效应管发生预夹断后，管子关断，电流为零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【管子进入恒流区，电流稳定。】

11、问题:分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是提高电路的输入电阻。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

12、问题:增强型PMOS管的开启电压大于零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【小于零。】

1、问题:当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时，放大倍数下降到中频时的0.7倍，此时增益下降（）dB。
选项：
A: 3dB
B:-3dB
C:0.707dB
D:-0.7075dB
答案: 【 3dB】

2、问题:BJT放大电路工作在高频状态时，造成放大倍数下降的主要原因是（）。
选项：

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