2020 固态电子学(黑龙江工程学院) 最新满分章节测试答案
- 第1讲：半导体中的电子状态和能带（2周） 单元测验——第1讲
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试2——载流子的漂移运动（第4讲）与扩散运动（第5讲）
- 第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 综合对比测试1——本征半导体（第1讲）与杂质半导体（第2讲）
- 第3讲：半导体中载流子的统计分布 单元测验——第3讲
- 第9讲：半导体的光学性质和光电与发光现象 单元测验——第9讲
- 第12讲：非晶态半导体 单元测验——第10、11、12讲
- 第5讲：非平衡载流子 单元测验——第5讲
- 第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 单元测验——第2讲
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试4——杂质对半导体的影响：浅能级杂质（第2讲）、散射（第4讲）、深能级杂质（第5讲）
- 第6讲：金属和半导体的接触 单元测验——第6讲
- 第7讲：半导体表面与MIS结构 单元测验——第7讲
- 第8讲：半导体异质结构 单元测验——第8讲
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试3——半导体的热平衡状态（第3讲）与非平衡状态（第5讲）
- 第4讲：半导体的导电性 单元测验——第4讲
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本课程起止时间为:2020-03-02到2020-04-18
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第1讲：半导体中的电子状态和能带（2周） 单元测验——第1讲
1、 问题:一种有效而直观的测量有效质量的实验方法是？
选项：
A:回旋共振实验
B:霍尔效应实验
C:磁阻效应实验
D:热电效应实验
答案: 【回旋共振实验】
2、 问题:有效质量的意义在于？
选项：
A:概括了半导体内部势场对电子的作用。
B:概括了共价键对电子的作用。
C:概括了导带对电子的作用。
D:概括了杂质对电子的作用。
答案: 【概括了半导体内部势场对电子的作用。】
3、 问题:关于导带中的电子，以下描述正确的是？
选项：
A:准自由运动的电子。
B:受共价键束缚的电子。
C:受杂质束缚的电子。
D:受价带束缚的电子。
答案: 【准自由运动的电子。】
4、 问题:在能带底部附近，电子的有效质量为？
选项：
A:正
B:负
C: 不确定
D:可正可负。
答案: 【正】
5、 问题:Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:[100]及其等价方向；k=0处
B: k=0处；k=0处
C:[111]及其等价方向；k=0处
D: [100]及其等价方向；[111]及其等价方向
E: [110]及其等价方向；k=0处
答案: 【[100]及其等价方向；k=0处】
6、 问题:以下材料中，属于直接禁带半导体的是？
选项：
A:GaAs
B:Si
C:Ge
D:GaP
答案: 【GaAs】
7、 问题:什么是本征半导体？
选项：
A:没有杂质，没有缺陷的半导体。
B:没有杂质的纯净半导体。
C:没有缺陷的结构完美的半导体。
D:杂质和缺陷数量很多的半导体。
答案: 【没有杂质，没有缺陷的半导体。】
8、 问题:本征半导体的特征是？
选项：
A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
D:电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 【导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。】
9、 问题:Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:[111]及其等价方向；k=0处
B: [110]及其等价方向；k=0处
C:[100]及其等价方向；k=0处
D: k空间原点；k空间原点
答案: 【[111]及其等价方向；k=0处】
10、 问题:GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A: k=0处；k=0处
B: [111]方向；k=0处
C: k=0处；[111]方向
D:[100]方向；k=0处
E:k=0处；[100]方向
答案: 【 k=0处；k=0处】
11、 问题:关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？
选项：
A:半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。
B:半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
C:半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
D:半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
答案: 【半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。】
12、 问题:本征激发指的是哪种电子跃迁？
选项：
A:价带的电子跃迁到导带。
B:导带的电子跃迁到价带。
C:施主态上的电子跃迁到导带。
D:受主态上的电子跃迁到价带。
答案: 【价带的电子跃迁到导带。】
13、 问题:本征激发的结果是？
选项：
A: 产生一组电子——空穴对。
B:仅产生一个导带的电子。
C:仅产生一个价带的空穴。
D:不产生电子和空穴。
答案: 【 产生一组电子——空穴对。】
14、 问题:关于价带中的空穴，以下描述正确的是？
选项：
A:空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。
B:空穴常出现在价带顶。
C:空穴的有效质量为正。
D: 空穴常出现在导带底部。
E: 空穴的有效质量为负。
答案: 【空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。;
空穴常出现在价带顶。;
空穴的有效质量为正。】
15、 问题:以下材料中，属于间接禁带半导体的是？
选项：
A:Si
B:Ge
C: GaAs
D:InP
答案: 【Si;
Ge】
第5讲：非平衡载流子 综合对比测试2——载流子的漂移运动（第4讲）与扩散运动（第5讲）
1、 问题:以下关于载流子运动的描述正确的是
选项：
A:载流子在电场作用下作漂移运动。
B:载流子在浓度梯度作用下作扩散运动。
C:迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度。
D:扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度。
E:爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系。
F:只有载流子的漂移运动会形成电流，载流子的扩散运动不形成电流。
G:载流子的扩散运动也是定向运动，也会形成电流。
H:在均匀半导体中，如果没有产生非平衡载流子，则不存在载流子的扩散运动。
I:在均匀半导体中，如果在材料的局部区域产生非平衡载流子，则非平衡载流子作扩散运动
J:非均匀半导体中，没有外加电场时，如果没有产生非平衡载流子，则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动。
K:在电场作用下，材料中所有的载流子都作漂移运动。
答案: 【载流子在电场作用下作漂移运动。;
载流子在浓度梯度作用下作扩散运动。;
迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度。;
扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度。;
爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系。;
载流子的扩散运动也是定向运动，也会形成电流。;
在均匀半导体中，如果没有产生非平衡载流子，则不存在载流子的扩散运动。;
在均匀半导体中，如果在材料的局部区域产生非平衡载流子，则非平衡载流子作扩散运动;
非均匀半导体中，没有外加电场时，如果没有产生非平衡载流子，则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动。;
在电场作用下，材料中所有的载流子都作漂移运动。】
第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 综合对比测试1——本征半导体（第1讲）与杂质半导体（第2讲）
1、 问题:以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是
选项：
A:纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。
C:本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D:本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。
E:n型半导体依靠导带电子导电。
F:p型半导体依靠价带空穴导电。
G:本征半导体中载流子由本征激发产生。
H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I:施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J:受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K:杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
答案: 【纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。;
实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。;
本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。;
本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。;
n型半导体依靠导带电子导电。;
p型半导体依靠价带空穴导电。;
本征半导体中载流子由本征激发产生。;
本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。;
施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。;
受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。;
杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。;
杂质半导体中也存在本征激发的过程。】
第3讲：半导体中载流子的统计分布 单元测验——第3讲
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