2020 半导体器件原理与仿真设计(九江学院) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-07-05
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第一周 第一周单元测验 —— 第1章
1、 问题:硅的晶格结构是 ，按能带结构划分属于 （ ）。
选项：
A:金刚石型，直接带隙半导体
B:闪锌矿型，直接带隙半导体
C:金刚石型，间接带隙半导体
D:闪锌矿型，间接带隙半导体
答案: 【金刚石型，间接带隙半导体】
2、 问题:金刚石结构是由两个 结构沿空间对角线错开四分之一长度互相套构而成。（ ）
选项：
A:简单立方
B:面心立方
C:体心立方
D:闪锌矿
答案: 【面心立方】
3、 问题:对于金刚石结构，原子面密度最大和最小的面密勒指数分别是（ ）。
选项：
A:(100)，(111)
B:(111)，(100)
C:(111)，(110)
D:(100)，(110)
答案: 【(111)，(100)】
4、 问题:半导体电阻率的温度系数为 ，金属电阻率的温度系数为 （ ）。
选项：
A:正，正
B:正，负
C:负，正
D:负，负
答案: 【负，正】
5、 问题:设N个硅原子排列起来结合形成硅晶体，根据不相容原理，原来属于N个单个原子的相同价电子能级必定分裂成属于整个晶体的N个能级，可以容纳的电子数为（ ）。
选项：
A:N
B:2N
C:N2
D:8N
答案: 【2N】
6、 问题:下列关于能带结构的说法中，错误的是（ ）。
选项：
A:硅是间接带隙半导体
B:禁带宽度具有负的温度系数
C:室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D:位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
答案: 【室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV】
7、 问题:硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）
选项：
A:施主能级，导带底
B:施主能级，价带顶
C:受主能级，导带底
D:受主能级，价带顶
答案: 【受主能级，价带顶】
8、 问题:下列关于费米能级的说法错误的是（ ）。
选项：
A:费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B:本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C:N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D:N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
答案: 【N型半导体的费米能级比较靠近价带顶】
9、 问题:下列关于复合中心的说法中，错误的是（ ）。
选项：
A:复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合
B:复合中心的存在会降低少数载流子的寿命
C:通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小
D:复合中心能级一般在禁带中央附近
答案: 【通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小】
10、 问题:如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（ ）。
选项：
A:变大，变大
B:变大，变小
C:变小，变大
D:变小，变小
答案: 【变小，变大】
11、 问题:闪锌矿型结构和纤锌矿型结构都是正四面体结构，其中闪锌矿型结构具有六方对称性，纤锌矿型结构具有立方对称性。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
12、 问题:在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质，会发生杂质补偿作用，施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消，剩下的电荷才能成为导电粒子。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
13、 问题:导带中的电子可能和价带中的空穴复合，释放出的能量以声子的形式发射出去，这一过程称为辐射复合。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
14、 问题:费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别在于前者收到泡利不相容原理的限制。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
15、 问题:在半导体中，电子按照能量大小服从一定的统计分布规律。一般量子态具有的能量越高，电子占据的概率越大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
第二周 第二周单元测验 —— 第2章
1、 问题:PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。
选项：
A:靠近P区的势垒区边界
B:靠近N区的势垒区边界
C:PN结界面处
D:电势处处相等
答案: 【靠近P区的势垒区边界】
2、 问题:在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。
选项：
A:减小低掺杂区的掺杂浓度
B:提高P区和N区的掺杂浓度
C:选用禁带宽度高的半导体材料
D:选用本征载流子浓度小的半导体材料
答案: 【减小低掺杂区的掺杂浓度】
3、 问题:下列关于PN结的说法中，错误的是（ ）。
选项：
A:空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B:对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C:平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等
D:平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似
答案: 【空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上】
4、 问题:下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性，a段实际情况偏离理想情况的主要原因是（ ）。
选项：
A:体电阻分压
B:势垒区复合电流
C:势垒区扩散电流
D:大注入
答案: 【势垒区复合电流】
5、 问题:下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（ ）。
选项：
A:能够将交流电转变成直流电
B:只允许电流从一个方向流过
C:低频整流特性较差
D:高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
答案: 【低频整流特性较差】
6、 问题:下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（ ）。
选项：
A:使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中
B:PN结外加正向偏压增大
C:PN结外加反向偏压减小
D:使空间电荷区势垒宽度减小
答案: 【使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中】
7、 问题:实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（ ）。
选项：
A:更低
B:更高
C:不变
D:不确定
答案: 【更低】
8、 问题:通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是（ ）。
选项：
A:正相关
B:负相关
C:正比
D:反比
答案: 【正相关】
9、 问题:下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（ ）。
选项：
A:势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B:隧道击穿也称齐纳击穿
C:隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D:隧道击穿的击穿电压温度系数为负
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