2024知到答案 模拟电子技术（中南大学） 最新知到智慧树满分章节测试答案
见面课：基本放大电路的静态与动态分析
1、问题:在画直流通路时，应将电路中的大容量的耦合电容、旁路电容视为（ ）。
选项：
A:开路
B:短路
C:保留不动
D:可以短路，也可以开路
答案: 【开路 】
2、问题:在画交流通路时，应将电路中的大容量的耦合电容、旁路电容视为（ ）。
选项：
A:开路
B:短路
C:保留不动
D:可以短路，也可以开路
答案: 【短路 】
3、问题:在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（ ）V。
选项：
A:6
B:5.4
C:2.12
D:3
答案: 【2.12 】
4、问题:电路如下图所示，晶体管的b＝100，=100Ω。若电容Ce开路，则将引起电路的哪些参数发生变化？
选项：
A:静态工作点的值
B:电压放大倍数的值
C:输入电阻的值
D:输出电阻的值
答案: 【电压放大倍数的值;
输入电阻的值】
5、问题:
选项：
A:正常情况
B:Rb1短路
C:Rb1开路
D:Rb2开路
E:RC短路
答案: 【Rb1短路 ;
Rb2开路 ;
RC短路】
见面课：负反馈放大电路的–“判”、“算”、“引”
1、问题:要实现从信号源索取电流小、并增强带负载能力，应该引入（ ）负反馈。
选项：
A:电压串联
B:电压并联
C:电流串联
D:电流并联
答案: 【电压串联 】
2、问题:负反馈多用于（ ）。
选项：
A:增大输出信号
B: 产生振荡
C:改善放大器的性能
D:提高放大倍数
答案: 【改善放大器的性能 】
3、问题:
选项：
A:电压串联
B:电压并联
C:电流串联
D:电流并联
答案: 【电流并联】
4、问题:
选项：
A:闭环电压放大倍数Auf=11
B:反馈组态是电压串联
C:闭环放大倍数Af=11
D:闭环电压放大倍数Auf=10
答案: 【闭环电压放大倍数Auf=11;
反馈组态是电压串联;
闭环放大倍数Af=11 】
5、问题:
选项：
A:反馈组态是电流串联
B:反馈组态是电压串联
C:引反馈后使得输入电阻减小
D:
答案: 【反馈组态是电压串联;
引反馈后使得输入电阻减小】
见面课：集成运放的应用实例分析
1、问题:对于基本积分电路，当其输入为方波时，其输出电压波形为（ ）。
选项：
A:方波
B:三角波
C: 正负尖脉冲
D:正弦波
答案: 【三角波 】
2、问题:“虚短”与“虚断”的分析方法只能在具有（ ）的集成运放应用电路中使用。
选项：
A:无反馈
B:正反馈
C:负反馈
D:开环
答案: 【负反馈 】
3、问题:
选项：
A:-15
B:-24
C:-12
D:+12
答案: 【-12 】
4、问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】
5、问题:
选项：
A:三角波及方波
B:方波及三角波
C:矩形波及三角波
D:矩形波及锯齿波
答案: 【方波及三角波 】
第一章 单元测试
1、 问题:
BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
2、 问题:
稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
3、 问题:
要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（ ）。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏
答案: 【
发射结正偏，集电结反偏
】
4、 问题:
工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β 约为（ ）。
选项：
A:50
B:83
C:90
D:100
答案: 【
100
】
5、 问题:
在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（ ）。
选项：
A:C、B、E
B:C、E、B
C:E、B、C
D:E、C、B
答案: 【
E、B、C
】
6、 问题:
选项：
A:4.3
B:5.7
C:73
D:8.7
答案: 【
5.7
】
7、 问题:
设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。
选项：
A:截止
B:可变电阻
C:放大
D:击穿
答案: 【
截止
】
8、 问题:
选项：
A:a
B:b
C:c
D:d
答案: 【
a
c
】
9、 问题:
选项：
A:a
B:b
C:c
D:d
答案: 【
a
c
】
10、 问题:
选项：
A:a
B:b
C:c
D:d
答案: 【
b
d
】
第二章 单元测试
1、 问题:
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
2、 问题:
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
3、 问题:
选项：
A:12
B:6
C:0.7
D:0.5
答案: 【
12
】
4、 问题:
设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）状态。
选项：
A:放大
B:截止
C:饱和
D:击穿
答案: 【
截止
】
5、 问题:
选项：
A:6
B:5.7
C:4.24
D:4.03
答案: 【
4.03
】
6、 问题:
选项：
A:>1200
B:<1200
C:=1200
D:= -1200
答案: 【
<1200
】
7、 问题:
选项：
A:40
B:10
C:100
答案: 【
100
】
8、 问题:
现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（ ）。
选项：
A:共射电路
B:共集电路
C:共基电路
D:共源电路
E:共漏电路
答案: 【
共射电路
共集电路
共源电路
共漏电路
】
9、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【
】
10、 问题:
在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（ ）耦合不能放大直流信号。
选项：
A:阻容
B:直接
C:变压器
答案: 【
阻容
变压器
】
第三章 单元测试
1、 问题:
当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放单管的集电极最大耗散功率应位0.75W。
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
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