第一章 单元测试

1、 问题:

以第一只晶闸管的出现作为电力电子技术诞生的标志。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、 问题:

从公共电网直接得到的电能是交流的,我们不需要进行电力变换就可以直接使用。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、 问题:

整流变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、 问题:

逆变变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

5、 问题:

斩波变换把幅值固定或变化的直流电变换成可调或恒定直流电。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

第二章 单元测试

1、 问题:

按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、 双极型、混合型三种。 

选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、 问题:

能用控制信号控制开通,但不能控制关断的功率半导体器件,称为半控型器件。                    

选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、 问题:

使晶闸管维持导通所必需的最小电流称作维持电流。  

选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、 问题:

可关断晶闸管(GTO)是一种(   )结构的半导体器件。

选项:
A:四层三结                                                    
B:五层三结
C:三层二结                                                    
D:三层三结
答案: 【四层三结                                                    

5、 问题:

电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管,所以不能承受反向电压。(  

选项:
A:对
B:错
答案: 【

6、 问题:

下面哪种器件属于电压驱动型(    )

选项:
A:scr
B:igbt
C:gtr
D:gto
答案: 【igbt

7、 问题:

擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。  

选项:
A:对
B:错
答案: 【

8、 问题:

当GTR的集电极电压升高至击穿电压时,集电极电流IC迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,称为

选项:
A:一次击穿        
B:二次击穿     
C:临界饱和     
D:反向击穿
答案: 【一次击穿        

9、 问题:

下面属于外因过电压的是

选项:
A:电力二极管关断过电压   
B:IGBT关断过电压 
C:雷击过电压             
D:晶闸管反向阻断恢复过电压
答案: 【雷击过电压             

10、 问题:

晶闸管串联工作时为了防止静态不均压,可采用并联均压电阻的办法。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

第三章 单元测试

1、 问题:

单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是90°

选项:
A:对
B:错
答案: 【

   

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