模块一 单元测试

1、 问题:集成电路是通过一系列特定的平面制造工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互联关系，“集成”在一块半导体单晶片上，冰封装在一个保护外壳内，能执行特定功能的复杂电子系统。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸。描述特征尺寸的另一个术语是电路的几何尺寸。特别值得关注的是硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

3、 问题:集成电路使用最多的半导体材料是硅，它被广泛采用的主要原因是（1）硅的丰裕度；（2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限；（3）更宽的工作温度范围；（4）氧化层的自然生成。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

4、 问题:掺杂特性决定了硅传导电流的能力（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

5、 问题:化合物半导体材料砷化镓具有哪些优点和缺点是：优点：它的材料电阻率更大，使得在砷化镓上制造半导体器件之间的隔离很容易，砷化镓期间还具有更高的抗辐射性能，在军事和太空应用中具有很大的优势。
缺点：缺乏天然氧化物，妨碍了标准MOS器件的发展，由于稼的相对匮乏和提纯工艺中的能量消耗，其成本是硅的10倍。砷的剧毒性需要设备、工艺和废物处理设施中要特别控制，这也会导致砷化镓半导体制造成本的增加。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

模块二 单元测试

1、 问题:硅片制造厂房中的7种沾污源是空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体、生产设备。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:可动离子沾污包括（ ）。
选项：
A:Na离子
B:Au离子
C:Fe离子
D:Cu离子
答案: 【
Na离子
】

3、 问题:集成电路制造的主要工艺有哪些？（ ）。
选项：
A:清洗
B:氧化
C:淀积
D:刻蚀
E:光刻
F:掺杂
答案: 【
清洗
氧化
淀积
刻蚀
光刻
掺杂
】

4、 问题:集成电路的发展趋势是什么？（ ）。
选项：
A:提高芯片的性能
B:提高芯片的可靠性
C:降低芯片的成本
D:增大芯片的线宽
答案: 【
提高芯片的性能
提高芯片的可靠性
降低芯片的成本
】

5、 问题:采用什么方法能够将半导体级多晶硅转换成单晶硅？（ ）。
选项：
A:直拉法
B:区熔法
C:合金法
D:涂覆法
答案: 【
直拉法
区熔法
】

模块三 单元测试

1、 问题:净化间沾污有哪几类？（ ）。
选项：
A:颗粒
B:金属杂质
C:有机物沾污
D:自然氧化层
E:静电释放
答案: 【
颗粒
金属杂质
有机物沾污
自然氧化层
静电释放
】

2、 问题:进行器件隔离的原因是在分立器件和集成电路中，其基本组成单元就是无源原件和有源器件，这些元器件按照一定的方式互连而具备一定的电学性能，并能完成一定的器件功能。所以制造在硅片表面的元器件之间必须是相互隔离的，即相互之间地绝缘的。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

3、 问题:绝缘物隔离有两种隔离技术是局部氧化隔离工艺， 浅槽隔离。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

4、 问题:局部氧化工艺指的是1.热生长一层薄的垫氧层，用来降低氮化物与硅之间的应力。2.淀积氮化物膜，作为氧化阻挡层。 3.刻蚀氮化硅，露出隔离区的硅。4.热氧化，氮化硅作为氧化阻挡层保护下面的硅不被氧化，隔离区的硅被氧化。5.去除氮化硅，露出器件区的硅表面，为制作器件做准备。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

5、 问题:器件隔离有哪些方法？（ ）。
选项：
A:PN结隔离法
B:浅槽隔离法
C:场氧隔离法
D:多晶隔离
答案: 【
PN结隔离法
浅槽隔离法
场氧隔离法
】

模块四 单元测试

1、 问题:半导体器件制造工艺中有清洗工艺的原因是： 1.洁净的晶圆是芯片生产全过程中的基本要求，制造过程中如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶圆内电路功能的损坏，形成短路或断路等，而粘附在芯片表面上的任何有机物或油脂污垢都会使加工过程形成的膜附着度变差，或在不需要的位置形成针孔而导致器件的性能改变，使得集成电路芯片失效。因此，半导体制造都是在超净的无尘无菌室内进行的。操作时工作人员都要穿超净的工作服并经过严格的除尘处理，戴头盔、面罩、手套。在制作过程中除了要排除外界的污染源外，在集成电路的某些制造步骤（如高温扩散、离子注入等）前均需要进行硅片的清洗工作。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

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