第一章 单元测试

1、 问题:不属于化合物半导体的有（ ）。
选项：
A:磷化铝
B:砷化铝
C:磷化镓
D:锗
答案: 【
锗
】

2、 问题:硅单晶晶体结构为（ ）。
选项：
A:正四面体结构
B:立方体结构
C:面心结构
D:体心结构
答案: 【
体心结构
】

3、 问题:属于化合物半导体有（ ）。
选项：
A:氮化镓
B:氧化镓
C:砷化镓
D:硅
答案: 【
氮化镓
氧化镓
砷化镓
】

4、 问题:Si是一种IV族元素半导体（四主族）。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

5、 问题:半导体材料一般分为三种类型：无定型、多晶和单晶。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第二章 单元测试

1、 问题:以下关于半导体中电子有效质量的描述，不对的选项是（ ）。
选项：
A:通过回旋共振实验可以测出电子有效质量
B:有效质量反映了晶格周期性势场对电子的作用
C:有效质量具有质量的量纲
D:有效质量是一个常数
答案: 【
有效质量是一个常数
】

2、 问题:杂质半导体中电子占据施主能级的几率可以直接套用费米分布函数来进行计算。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

3、 问题:在单晶硅中掺入少量（ ）杂质元素会形成N型半导体？
选项：
A:硼
B:磷
C:镓
D:锗
答案: 【
磷
】

4、 问题:单晶硅表面态密度的实验值要比理论值高几个数量级。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

5、 问题:关于半导体表面态的描述，下列（ ）是错误的？
选项：
A:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态
B:空态时带正电而电子占据后呈中性的为施主型表面态
C:慢态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层
D:快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层
答案: 【
空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态
快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层
】

第三章 单元测试

1、 问题:以下关于PN结的描述，正确的的选项是（ ）。
选项：
A:平衡PN结，P区一侧的费米能级高于N区一侧的费米能级
B:PN结加正向偏压时，外加电场的方向与自建电场方向相同
C:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率
D:PN结具有单向导电性
答案: 【
PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率
PN结具有单向导电性
】

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