2021 VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）(东南大学) 最新满分章节测试答案

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第一章概论第一章测试
【作业】第二章 MOS晶体管原理第二章单元作业
第二章 MOS晶体管原理第二章测试
第二章 MOS晶体管原理第二章单元测试2
第三章反相器和组合逻辑电路第三章测试

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本课程起止时间为:2021-04-07到2021-07-15
本篇答案更新状态:已完结

第一章概论第一章测试

1、问题:摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
选项：
A:计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B:功耗密度持续提高、散热无法解决
C:互连延时降低，互连能耗减小
D:工艺复杂，成本降低难以持续
答案: 【互连延时降低，互连能耗减小】

2、问题:到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？
选项：
A:是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸已停止下降
C:在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸下降的很缓慢
D:不知道
答案: 【是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm】

3、问题:你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？
选项：
A:速度
B:功耗
C:可靠性
D:面积
答案: 【速度;
功耗;
面积】

4、问题:摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、问题:VLSI芯片内部处理的是模拟信号
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、问题:集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【成本驱动也是重要因素】

【作业】第二章 MOS晶体管原理第二章单元作业

1、问题:什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？
评分规则: 【器件的亚阈值特性是指在分析MOSEFET时，当Vgs<Vth时MOS器件依然有一个弱的反型层存在，漏源电流Id并非是无限小，而是与Vgs呈现指数关系，这种效应称作亚阈值效应。（5分）影响：亚阈值会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。（5分）
】

2、问题:根据所给电压偏置来判断当前NMOS所处的状态以及漏端电流。其中NMOS的参数为k’n = 115µA/V2 , VT0 = 0.43 V, λ = 0.06 V-1 。假设（W/L）=1。（1）VGS = 2.5 V, VDS = 2.5 V. （2）VGS = 3.3 V, VDS = 2.2 V.
评分规则: 【（1）处在饱和区（5分）（2）处在线性区（5分）
】

3、问题:1、根据所给电压偏置来判断当前NMOS所处的状态以及漏端电流。其中PMOS的参数为k’p = 30 µA/V2, VT0 = –0.4 V, λ = -0.1 V-1 。假设（W/L）=1。（1）VGS = –0.5 V, VDS = –1.25 V.（2）VGS = –2.5 V, VDS = –1.8 V.
评分规则: 【（1）处在饱和区（5分）（2）处在线性区（5分）
】