2022大学慕课答案 2020秋冬模电蔡忠法(浙江大学) 最新大学MOOC满分章节测试答案
- 【作业】1 基本半导体器件 第一单元作业
- 1 基本半导体器件 第一单元测试
- 【作业】2 基本放大电路分析 第二单元作业
- 2 基本放大电路分析 第二单元测试
- 【作业】3 放大电路频率特性 第三单元作业
- 3 放大电路频率特性 第三单元测试
- 4 集成运算放大器 第四单元测试
- 【作业】4 集成运算放大器 第四单元作业
- 5 负反馈放大电路分析 第五单元测试
- 【作业】5 负反馈放大电路分析 第五单元作业
- 6 信号发生电路 第六单元测试
- 【作业】6 信号发生电路 第六单元作业
- 7 功率放大电路 第七单元测试
- 【作业】7 功率放大电路 第七单元作业
- 8 基本AC-DC变换电路 第八单元测试
- 【作业】8 基本AC-DC变换电路 第八单元作业
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本课程起止时间为:2020-11-09到2021-01-28
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【作业】1 基本半导体器件 第一单元作业
1、 问题:在 半导体中,自由电子的浓度大于空穴浓度。
评分规则: 【 N型
】
2、 问题:下图所示电路中,D1、D2均为理想二极管,则它们的通断状态分别为: 。
评分规则: 【 导通、截止
】
3、 问题:下图所示电路中,VI = 8V,RL = 250Ω,稳压二极管正常工作时的VZ = 5V,IZ = 10mA。则,限流电阻R的阻值为: Ω。
评分规则: 【 100
】
4、 问题:在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的三极电流如下图所示。 已知II = -1.2mA,I2 = -0.03mA,I3 =1.23mA。则,此晶体管的类型是: 。
评分规则: 【 PNP
】
5、 问题:下图所示电路中,已知VB = 5.7V,VC = 15V,Rb = 50kΩ,Rc = 2kΩ,β = 100, VCES=0.3V 。则VCE为: V。
评分规则: 【 0.3V
】
1 基本半导体器件 第一单元测试
1、 问题:在 半导体中,自由电子的浓度大于空穴浓度。
选项:
A:本征
B:P型
C:N型
D:以上都是
答案: 【N型】
2、 问题:当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 【大于】
3、 问题:下图所示电路中,D为硅二极管。当VS = 5V时,测得流过二极管D的电流为1mA。若提高VS至10V,则流过二极管D的电流为: 。
选项:
A:2mA
B:大于2mA
C:小于2mA
D:无法确定
答案: 【大于2mA】
4、 问题:下图所示电路中,D为硅二极管,VS = 5V。在温度为20°时,测得二极管D的两端电压为0.7V。若提高温度至40°,则二极管D的两端电压为: 。
选项:
A:0.7V
B:大于0.7V
C:小于0.7V
D:无法确定
答案: 【小于0.7V】
5、 问题:下图所示电路中,D1、D2均为理想二极管,则它们的通断状态分别为: 。
选项:
A:导通、导通
B:导通、截止
C:截止、导通
D:截止、截止
答案: 【导通、截止】
6、 问题:在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的各极对地电压分别为:0V、-0.7V、-5V。则,0V所对应的是三极管的: 。
选项:
A:基极
B:集电极
C:发射极
D:无法确定
答案: 【发射极】
7、 问题:在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的三极电流如下图所示。 已知II = -1.2mA,I2 = -0.03mA,I3 =1.23mA。则,此晶体管的类型是: 。
选项:
A:NPN
B:PNP
C:NPN和PNP都可以
D:无法确定
答案: 【PNP】
8、 问题:温度升高时,晶体管的电流放大系数β 。
选项:
A:升高
B:降低
C:不变
D:无法确定
答案: 【升高】
9、 问题:下图所示电路的组态是: 。
选项:
A:共基
B:共集
C:共射
D:以上都不是
答案: 【共集】
10、 问题:某场效应管的转移特性如下图所示,此场效应管是: 。
选项:
A:N沟道增强型
B:P沟道增强型
C:N沟道耗尽型
D:P沟道耗尽型
答案: 【P沟道增强型】
11、 问题:某场效应管的输出特性如下图所示,此场效应管是: 。
选项:
A:N沟道增强型
B:P沟道增强型
C:N沟道耗尽型
D:P沟道耗尽型
答案: 【N沟道耗尽型】
12、 问题:由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应: 。
选项:
A:大于0
B:小于0
C:大于或小于0均可
D:无法确定
答案: 【大于0 】
13、 问题:由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。
选项:
A:大于0
B:小于0
C:大于或小于0均可
D:无法确定
答案: 【大于0 】
14、 问题:N沟道耗尽型场效应管中,栅源电压VGS越大,其导电能力将: 。
选项:
A:越强
B:越弱
C:不变
D:无法确定
答案: 【越强】
15、 问题:N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS: 。
选项:
A:越大
B:越小
C:不变
D:无法确定
答案: 【无法确定】
16、 问题:下图所示电路中,VI = 8V,RL = 250Ω,稳压二极管正常工作时的VZ = 5V,IZ = 10mA。则,限流电阻R的阻值为: 。
选项:
A:250
B:200
C:150
D:100
答案: 【100】
17、 问题:下图所示电路中,已知VB = 5.7V,VC = 15V,Rb = 100kΩ,Rc = 2kΩ,β = 100, VCES=0.3V 。则VCE为: V。
选项:
A:5V
B:0.7V
C:0.3V
D:-5V
答案: 【5V】
18、 问题:下图所示电路中,已知VB = 5.7V,VC = 15V,Rb = 50kΩ,Rc = 2kΩ,β = 100,VCES=0.3V。则VCE为: 。
选项:
A:5V
B:0.7V
C:-5V
D:0.3V
答案: 【0.3V】
19、 问题:在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的某两极对地电压分别为:0V、-5V。则,剩下一极的对地电压有可能是以下的 。
选项:
A:-5.7V
B:-4.3V
C:-0.7V
D:0.7V
答案: 【-5.7V;
-4.3V;
-0.7V;
0.7V】
【作业】2 基本放大电路分析 第二单元作业
1、 问题:如下图(a)为三极管构成放大电路原理图,为输入信号,图(b)为放大电路输出特性图,假定Q点为输出静态工作点,则:当电阻减小时,图中负载线应该( )。当偏置电源Vcc增加时,图中负载线应该( )
评分规则: 【 斜率变陡,向右上方平移(右移)
】
本文章不含期末不含主观题!!
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