2020 集成电路设计基础(中南林业科技大学) 最新满分章节测试答案
本答案对应课程为:点我自动跳转查看
本课程起止时间为:2020-02-21到2020-05-13
本篇答案更新状态:已完结
第三部分 集成电路制造工艺及版图 第三部分第一次测验
1、 问题:题3-1-1 以下不是半导体材料的是： 。
选项：
A:Si
B:Ge
C:GaAs
D:C
答案: 【C】
2、 问题:题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是：
选项：
A:超净
B:高精度
C:低精度
D:超纯
答案: 【低精度 】
3、 问题:题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是： 。
选项：
A:A、特征尺寸
B:器件数量
C:互连线长度
D:互连线层数
答案: 【A、特征尺寸】
4、 问题:题3-1-4 以下不是光刻系统的主要指标的是： 。
选项：
A:分辨率
B:晶圆直径
C:焦深
D:对比度
答案: 【晶圆直径 】
5、 问题:题3-1-5 在光学曝光中，由于掩膜版的位置不同，又分为接触式曝光，接近式曝光和：
选项：
A:投影式曝光
B:X射线曝光
C:电子束曝光
D:离子束曝光
答案: 【投影式曝光 】
6、 问题:题3-1-6 下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是 。
选项：
A:特征尺寸越来越小
B:晶圆尺寸越来越小
C:电源电压越来越低
D:时钟频率越来越高
答案: 【晶圆尺寸越来越小】
7、 问题:题3-1-7 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。
选项：
A:A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B:B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C:C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D:D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
答案: 【B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形】
8、 问题:题3-1-8 以下不是影响刻蚀质量的主要因素是： 。
选项：
A:粘附性
B:刻蚀温度
C:刻蚀时间
D:刻蚀槽的高度
答案: 【刻蚀槽的高度】
9、 问题:题3-1-9 集成电路制造工艺中对刻蚀的要求包括：能得到想要的形状(斜面还是垂直图形)；过腐蚀最小(一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全)； ；均匀性和重复性好；表面损伤小和清洁、经济、安全等。
选项：
A:各向异性好
B: 选择性好
C: 各向同性好
D: 刻蚀速率快
答案: 【 选择性好】
10、 问题:题3-1-10 与湿法腐蚀比较，以下是干法刻蚀的优点是： 。
选项：
A:保真度好，图形分辨率高；
本文章不含期末不含主观题！！
本文章不含期末不含主观题！！
支付后可长期查看
有疑问请添加客服QQ 2356025045反馈
如遇卡顿看不了请换个浏览器即可打开
请看清楚了再购买哦，电子资源购买后不支持退款哦
