2022大学慕课答案 电工电子技术基础A(湖北文理学院)1450736639 最新大学MOOC满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2020-02-15到2020-08-11
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模块一半导体器件 半导体器件单元测验
1、 问题:1．二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（ ）。
选项：
A:正向电压大于PN结的死区电压
B:正向电压等于零
C:必须加反向电压
D:正向电压小于零
答案: 【正向电压大于PN结的死区电压】
2、 问题:电路如图所示， 二极管D为理想元件，当输入信号 ui=12sinwtV时，输出电压的最大值为（ ）。
选项：
A:12 V
B:- 6 V
C:0 V
D: 6 V
答案: 【 6 V】
3、 问题:电路如图所示，二极管D1、D2为理想元件，则在电路中（ ）。
选项：
A:D1起箝位作用，D2起隔离作用
B:D1起隔离作用，D2箝位作用
C:D1、D2均起箝位作用
D:D1、D2均起隔离作用
答案: 【D1起隔离作用，D2箝位作用】
4、 问题:电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为（ ）。
选项：
A: 5V
B:10V
C:2V
D:7V
答案: 【7V】
5、 问题:PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（ ）。
选项：
A:可以调换使用
B:不可以调换使用
C:PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
D:NPN型可以调换使用，PNP型则不可以调换使用
答案: 【不可以调换使用】
6、 问题:工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。
选项：
A:发射结正偏，集电结反偏
B:发射结反偏，集电结正偏
C:发射结、集电结均反偏
D:发射结、集电结均正偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】
7、 问题:已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为3.7V、9V 和 3V，则 3.7V 所对应的电极为（ ）。
选项：
A:发射极
B:集电极
C:基极
D:不确定
答案: 【基极】
8、 问题:动态电阻 rZ是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压性能的影响是（ ）。
选项：
A: rZ 小则稳压性能差
B: rZ小则稳压性能好
C:rZ 的大小不影响稳压性能
D:不确定
答案: 【 rZ小则稳压性能好】
9、 问题:稳压管反向击穿后，其后果为（ ）。
选项：
A:永久性损坏
B:只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
C:由于击穿而导致性能下降
D:由于击穿而导致性能不变
答案: 【只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损】
10、 问题: 电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ = 6 V，电源US = 4 V，则负载RL两端电压UL为（ ）
选项：
A:10V
B:6V
C:-4V
D:0V
答案: 【-4V 】
11、 问题:电路如图所示，二极管D1，D2 均为理想元件，则电压 uO =（ ）。
选项：
A:6V
B:0V
C:－12V
D:12V
答案: 【0V】
12、 问题:电路如图所示，晶体管T的电流放大系数 b = 50，RB = 300 kW，RC= 3 kW，晶体管T处于（ ）。
选项：
A:放大状态
B:截止状态
C:饱和状态
D:开关状态
答案: 【放大状态】
【作业】模块一半导体器件 半导体器件单元作业
1、 问题:什么是二极管的死去电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
评分规则: 【 解：(1) 当二极管所加正向电压较小时，正向电流很小，几乎可以忽略，当正向电压超过某值时，正向电流才迅速增大，此时的电压值就称为死区电压。
(2)出现死区电压的原因是由于 PN 结形成后, 空间电荷区的内电场阻止多数载流子扩散，当外加正向电压很低时,不足以克服内电场的作用，所以正向扩散电流很小, 形成了死区电压。
(3) 硅管的死区电压为 0.5V，锗管的死区电压为 0.1V。
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