2022大学慕课答案 模拟电子电路(顾梅园老师秋季)(杭州电子科技大学)1468605462 最新大学MOOC满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2022-08-28到2022-12-25

【作业】第1周 模拟电子电路导论及二极管 第1周课前作业

1、 问题:如图所示，求所标明的电压V和电流值I，其中二极管要求用恒压降模型替代，即VD=0.7V。
评分规则: 【


】

2、 问题:试判断如图所示电路中各二极管是否导通，并求Vo的值。
评分规则: 【

】

3、 问题:一个二极管应用在一个由恒流源I供电的电路中，如果在二极管边上再并联一个相同的二极管，那么对该二极管的正向电压有什么影响？假设n=1。
评分规则: 【
】

4、 问题:如图所示电路，该电路功能是什么？设输入正弦波的有效值为120V，并假设二极管理想。为电阻R选择合适的数值，使得二极管的峰值电流不超过50mA，并求二极管两端最大的反向电压PIV。
评分规则: 【
】

5、 问题:本周知识图谱：呈现方式：大纲形式、思维导图形式、组织结构图形式和其他形式，可借助各类制图软件，也可以手写。
评分规则: 【 看总结的完整性和逻辑性评分
】

第1周 模拟电子电路导论及二极管 半导体物理基础及PN结测验

1、 问题:纯净、无杂质且无晶格缺陷的半导体材料称为（ ）
选项：
A:本征半导体
B:杂志半导体
C:化合物半导体
D:氧化物半导体
答案: 【本征半导体】

2、 问题:PN结的形成过程可以简述如下（ ）
选项：
A:多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
B:多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡
C:少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡
D:少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
答案: 【多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡】

3、 问题:室温下无外力作用时，本征半导体中的载流子主要由（ ）产生。
选项：
A:本征激发
B:电场作用
C:地心引力
D:相互作用力
答案: 【本征激发】

4、 问题:常用于电子器件制作的元素半导体材料一般是（ ）元素
选项：
A:+4价
B:+3价
C:+5价
D:+6价
E:+2价
F:+1价
答案: 【+4价】

5、 问题:杂质半导体中空穴和自由电子（）
选项：
A:浓度不再相等
B:浓度始终相等
C:随着温度上升，浓度逐渐下降
D:浓度都与掺杂浓度相等
答案: 【浓度不再相等】

6、 问题:当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将____
选项：
A:变窄
B:变宽
C:基本不变
D:一侧变窄，一侧变宽
答案: 【变窄】

7、 问题:下面对PN结单向导电性描述正确的是（ ）
选项：
A:反偏时PN结等效为一个大电阻
B:正向导通，反向截止
C:反偏时PN结有非常小的电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
D:正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
答案: 【反偏时PN结等效为一个大电阻;
正向导通，反向截止;
反偏时PN结有非常小的电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区】

8、 问题:本征半导体中自由电子和空穴（）
选项：
A:由本征激发产生
B:因本征复合而消失
C:成对产生或成对消失
D:浓度始终相等
E:带电极性相同
F:浓度始终不等
G:浓度有时相等，有时不等
H:可从外界吸收获取
答案: 【由本征激发产生;
因本征复合而消失;
成对产生或成对消失;
浓度始终相等】

9、 问题:由外电场作用引起半导体内载流子运动，则（ ）
选项：
A:运动方式为漂移运动
B:形成的电流为漂移电流
C:电场强度越大，引起的电流越大
D:运动方式为扩散运动
E:形成的电流为扩散电流
F:电场强度越大，引起的电流越小
G:引起的电流方向与其载流子运动方向相反
H:引起的电流方向与其载流子运动方向相同
答案: 【运动方式为漂移运动;
形成的电流为漂移电流;
电场强度越大，引起的电流越大】

10、 问题:N型半导体（ ）
选项：
A:掺入+5价杂质元素
B:多数载流子为自由电子
C:少数载流子为空穴
D:杂质被称为施主杂质
E:杂质离子带正电荷
F:掺入+3价杂质元素
G:掺入+4价杂质元素
H:多数载流子为空穴
I:少数载流子为自由电子
J:杂质被称为受主杂质
K:杂质离子带负电荷
答案: 【掺入+5价杂质元素;
多数载流子为自由电子;
少数载流子为空穴;
杂质被称为施主杂质;
杂质离子带正电荷】

11、 问题:P型半导体（ ）
选项：
A:掺入+3价杂质元素
B:多数载流子为空穴
C:少数载流子为自由电子
D:杂质被称为受主杂质
E:杂质离子带负电荷
F:掺入+5价杂质元素
G:多数载流子为自由电子
H:少数载流子为空穴
I:杂质被称为施主杂质
J:掺入+4价杂质元素
K:杂质离子带正电荷
答案: 【掺入+3价杂质元素;
多数载流子为空穴;
少数载流子为自由电子;
杂质被称为受主杂质;
杂质离子带负电荷】

12、 问题:杂质半导体中（ ）
选项：
A:多子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度
B:少子浓度主要依赖于温度
C:少子由本征激发产生
D:多子和少子的带电极性总是相反的
E:多子和少子的带电极性总是相同的
F:多子浓度主要依赖于温度
G:少子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度
H:多子由本征激发产生
I:多子和少子浓度相同
答案: 【多子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度;
少子浓度主要依赖于温度;
少子由本征激发产生;
多子和少子的带电极性总是相反的】

13、 问题:PN结形成后（ ）
选项：
A:接触面两边形成空间电荷区
B:势垒区内的离子固定不动
C:接触面两侧空间电荷区的宽度与两侧掺杂浓度成反比
D:内部载流子将静止不动
E:接触面上无载流子通过
F:接触面上无电流通过
G:接触面两侧空间电荷区的宽度始终相等
答案: 【接触面两边形成空间电荷区;
势垒区内的离子固定不动;
接触面两侧空间电荷区的宽度与两侧掺杂浓度成反比】

14、 问题:PN结的击穿现象（ ）
选项：
A:是在加足够大的反偏电压时出现的

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