2021 模拟电子技术基础(桂林电子科技大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-09-01到2022-01-10
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第一章 半导体基础及二极管应用电路 第一章 二极管及其基本电路测验题

1、 问题:半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
选项：
A:自由电子
B:共价键中价电子
C:正离子
D:负离子
答案: 【共价键中价电子】

2、 问题:N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。
选项：
A:自由电子，空穴
B:空穴，自由电子
C:自由电子，正离子
D:空穴，负离子
E:空穴，正离子
F:自由电子，负离子
答案: 【自由电子，空穴】

3、 问题:PN结内电场方向是由 。
选项：
A:N区指向P区
B:P区指向N区
C:不确定
D:与外加电压有关
答案: 【N区指向P区】

4、 问题:PN结正偏是指 。
选项：
A:N区电位高于P区
B:P区电位高于N区
C:P区和N区电位相等
D:与外加电压无关
答案: 【P区电位高于N区】

5、 问题:齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
选项：
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:放大
答案: 【反向击穿】

6、 问题:点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。
选项：
A:正偏电压，反偏电压，反偏电压
B:正偏电压，反偏电压，零偏压
C:反偏电压，正偏电压，正偏电压
D:反偏电压，正偏电压，反偏电压
E:正偏电压，正偏电压，反偏电压
答案: 【正偏电压，反偏电压，反偏电压】

7、 问题:已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。
选项：
A:19.2 kΩ
B:1 kΩ
C:52 kΩ
D:52 Ω
答案: 【52 Ω】

8、 问题:设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项：
A:10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B:10mA，1mA；9.3mA，3mA
C:1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D:10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
答案: 【10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】

9、 问题:12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
选项：
A:240mA，24V
B:120mA，12V
C:120mA，36V
D:360mA，36V
答案: 【120mA，36V】

10、 问题:电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。
选项：
A:220V，0.99A
B:220V，2.2A
C:
D:
答案: 【】

11、 问题:电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

12、 问题:二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是 。
选项：
A:vO的a列
B:vO的b列
C:vO的c列
D:vO的d列
答案: 【vO的b列】

13、 问题:电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO的静态电压 ；动态时，vO的交流电压振幅为 。
选项：
A:2mA，2V；0.05V
B:1.3mA，1.3V；0.05V
C:2mA，2V；0.049V
D:1.3mA，1.3V；0.049V
答案: 【1.3mA，1.3V；0.049V】

14、 问题:稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是 。
选项：
A:大于111W
B:小于111W
C:大于111kW
D:小于111kW
答案: 【大于111W】

15、 问题:在一定的温度下，如果增加杂质半导体的掺杂浓度，则少子的浓度将会 。
选项：
A:减小
B:增大
C:不变
D:不确定
答案: 【减小】

16、 问题:二极管电路图如图所示，设二极管为理想二极管（导通压降为0），则D1，D2，D3的状态分别为 。
选项：
A:导通，截止，导通
B:导通，导通，导通
C:导通，导通，截止
D:截止，导通，截止
答案: 【导通，截止，导通】

17、 问题:半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【由于反向截止特性主要与少数载流子有关，所以受影响最明显。】

18、 问题:对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【对于实际的二极管，一般门槛电压都不是零，因此必须满足正偏电压大于这个门槛电压，二极管才会导通。】

19、 问题:二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【引入二极管简化模型的目的就是要将原本非线性关系简化为线性关系，以便用较简单的线性电路分析方法来分析二极管电路。】

20、 问题:通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【通常硅二极管的正向导通压降大于锗二极管的正向压降。】

21、 问题:在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【使用齐纳二极管稳压时，输入电压一般大于齐纳二极管的稳定电压，必须串接限流电阻，以便控制二极管中的电流不超过最大允许电流。】

第二章 晶体三极管基础 自主学习测验-1(MOSFET）

1、 问题:下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（ ）。
选项：
A:N沟道耗尽型MOSFET
B:P沟道耗尽型MOSFET
C:N沟道增强型MOSFET
D:结型场效应管
答案: 【N沟道增强型MOSFET】

2、 问题:MOSFET利用（ ）控制（ ），是（ ）器件。
选项：
A:栅源电压，漏极电流，电压控制电流
B:栅极电流，漏源电压，电流控制电压
C:栅源电压，漏源电压，电压控制电压
D:栅极电流，源极电流，电流控制电流

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