第一章 单元测试

1、 问题:现代集成电路的生产可以使用各种工艺包括 硅工艺 和GaN GaAs SiGe等化合物工艺。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:集成电路设计可以包含模拟集成电路设计、数字集成电路设计、数模混合集成电路设计等很多方面。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第二章 单元测试

1、 问题:NMOS和PMOS器件的小信号模型一致。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:MOS管器件流控电压源。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

3、 问题:MOS管的小信号输出电阻是由 MOS 管的体效应产生的。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

4、 问题:MOS器件中，保持 VDS 不变，随着 VGS的增加， MOS 器件将从截止区到线性区最后到饱和区。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

5、 问题:在CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让MOS 管工作在（ ）区。
选项：
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 【
饱和区
】

6、 问题:MOS管一旦出现 () 现象，此时的 MOS 管将进入饱和区。（ ）
选项：
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【
夹断
】

7、 问题:

(      ) 表征了MOS器件的灵敏度。

选项：
A:ro
B:gmb
C:gm
D:uncox
答案: 【
gm
】

8、 问题:模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（ ）
选项：
A:增益
B:输出电阻
C:输出摆幅
D:输入电阻
答案: 【
输出摆幅
】

第三章 单元测试

1、 问题:共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗很高。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

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