2022大学慕课答案 集成电路工艺基础(齐齐哈尔工程学院) 最新大学MOOC满分章节测试答案
- 第二讲 介绍第2章 外延,包括:外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容 第二讲 作业
- 第三讲,介绍第3章 热氧化,包括:SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第三讲 作业
- 第五讲 介绍第5章 离子注入,包括:离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等,共八节内容 第五讲 作业
- 第四讲 介绍第4章 扩散,包括:扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 第四讲 作业
- 第五讲 介绍第5章 离子注入,包括:离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等,共八节内容 期中测验
- 第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备 绪论测验题
- 第1章 硅片的制备 第一讲 作业
- 【作业】第1章 硅片的制备 第二讲外延预习任务作业
- 【作业】第二讲 介绍第2章 外延,包括:外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容 第3章氧化预习任务作业
- 【作业】第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备 绪论作业
- 【作业】第三讲,介绍第3章 热氧化,包括:SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第4讲预习任务作业
- 【作业】第四讲 介绍第4章 扩散,包括:扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 第5讲;离子注入预习作业
- 第六讲,介绍第6章 化学汽相淀积,包括:CVD概述,CVD工艺原理、方法,二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。 第六讲 作业
- 第七讲 介绍第7章物理汽相淀积,包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容 第七讲 作业
- 第八讲 介绍第8章 光刻工艺,包括光刻概述,光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。 第八讲 作业
- 第九讲 介绍第九章 刻蚀技术 包括:刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。 第九讲 作业
- 【作业】第三讲,介绍第3章 热氧化,包括:SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 氧化思维导图
- 【作业】第四讲 介绍第4章 扩散,包括:扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 离子注入的思维导图
- 【作业】第五讲 介绍第5章 离子注入,包括:离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等,共八节内容 完成离子注入的思维导图
- 【作业】第六讲,介绍第6章 化学汽相淀积,包括:CVD概述,CVD工艺原理、方法,二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。 CVD思维导图
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第二讲 介绍第2章 外延,包括:外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容 第二讲 作业
1、 问题:VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
选项:
A:自掺杂效应
B:互扩散效应
C:衬底表面没清洗干净的缘故。
D:掺杂气体不纯
答案: 【互扩散效应】
2、 问题:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
选项:
A:MBE
B:VPE、LPE
C:UHV/CVD
D:SEG、SPE
答案: 【MBE;
UHV/CVD】
3、 问题:如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析:【只在一定范围成立,如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。】
4、 问题:外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长 薄膜。
答案: 【(以下答案任选其一都对)晶体;
单晶】
5、 问题:VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源,硅烷是在 完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【硅片表面】
第三讲,介绍第3章 热氧化,包括:SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第三讲 作业
1、 问题:通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
选项:
A:掺氯氧化
B:干氧
C:干氧-湿氧-干氧
D:低压氧化
答案: 【干氧-湿氧-干氧】
2、 问题:关于氧化速率下面哪种描述是正确的:
选项:
A:生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律
B:温度升高氧化速率迅速增加
C:(111)硅比(100)硅氧化得快
D:有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E:生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F:生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
答案: 【温度升高氧化速率迅速增加;
(111)硅比(100)硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律】
3、 问题:制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
4、 问题:热氧化速率快慢排序: 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。(从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空,中间用“、”隔开)
答案: 【水汽、湿氧、干氧】
5、 问题:热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质 引起的。(两个字)
答案: 【分凝】
第五讲 介绍第5章 离子注入,包括:离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等,共八节内容 第五讲 作业
1、 问题:在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时,可以避免。
选项:
A:沟道效应,<
B:沟道效应,>
C:横向效应,<
D:横向效应,>
答案: 【沟道效应,>】
2、 问题:形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?
选项:
A:不可以
B:可以,实际注硼:QB+QSb
C:可以,实际注硼:QB-QSb
D:可以,实际注硼:QB
答案: 【可以,实际注硼:QB+QSb】
3、 问题:基于LSS理论,判断对下图分析的对错:
选项:
A:该入射离子是低能注入;
B:该入射离子是高能注入;
C:入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞;
D:入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞;
E:入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞;
F:入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。
答案: 【该入射离子是高能注入;;
入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞;;
入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞;】
4、 问题:关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:
选项:
A:注入离子越轻,临界剂量越小;
B:靶温升高,临界剂量上升;
C:注入离子能量越高,临界剂量越低;
D:注入离子剂量率增大,临界剂量降低。
答案: 【靶温升高,临界剂量上升;;
注入离子能量越高,临界剂量越低;;
注入离子剂量率增大,临界剂量降低。】
5、 问题:离子注入硼无需退火就有电活性,所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析:【离子注入硼杂质在退火前无电活性。】
第四讲 介绍第4章 扩散,包括:扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 第四讲 作业
1、 问题:
选项:
A:图(a)是限定源扩散,图(b)恒定源扩散
B:图(a)、(b)都是限定源扩散
C:图(a)、(b)都是恒定源扩散
D:图(a)是恒定源扩散,图(b)限定源扩散
答案: 【图(a)、(b)都是限定源扩散】
2、 问题:扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸 ,这是 效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度。
选项:
A:大,横向扩散
B:小,横向扩散
C:大,场助扩散
D:大,氧化增强
答案: 【大,横向扩散】
3、 问题:扩散系数在何时不可以看成是常数:
选项:
A:在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质;
B:在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;
C:在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D:在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。
答案: 【在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。】
4、 问题:一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析:【D1t1>>D2t2,杂质近似服从余误差分布】
5、 问题:在p-Si中扩磷13分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到1.5μm,在原条件下还要扩 分钟。(只保留整数)
答案: 【104】
第五讲 介绍第5章 离子注入,包括:离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等,共八节内容 期中测验
1、 问题:在p-Si中扩磷20分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到0.8μm,在原条件下还要扩散多长时间?
选项:
A:51.2min
B:31.2min
C:117min
D:104min
答案: 【31.2min】
2、 问题:在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快, 短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
选项:
A:0.088μm
B:0.712μm
C:0.512μm
D:0.6μm
答案: 【0.712μm】
3、 问题:掺杂浓度分布如下图,请判断对错:
选项:
A:(a)、(b)是扩散掺杂,杂质浓度都是余误差分布;
B:(c)是离子注入掺杂,是高斯分布;
C:(a)是限定源扩散掺杂,是余误差分布;(b)是恒定源扩散,是高斯分布;
D:(a)是限定源扩散掺杂,是高斯分布;(b)是恒定源扩散,是余误差分布;
E:(a)、(c) 杂质浓度都是高斯分布;
F:(b)、(c) 杂质浓度都是高斯分布,都是离子注入掺杂。
答案: 【(c)是离子注入掺杂,是高斯分布;;
(a)是限定源扩散掺杂,是高斯分布;(b)是恒定源扩散,是余误差分布;;
(a)、(c) 杂质浓度都是高斯分布;】
4、 问题:在Si中注入B+,能量为30KeV,剂量是10的12次方离子/cm2,查表可知Rp≈0.11μm, ΔRp=0.032μm,峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
5、 问题:锑在硅中的最大固溶度只有510的19次方原子/cm3,但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达510的20次方原子/cm3,因此,采用 掺杂。
答案: 【离子注入】
第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备 绪论测验题
1、 问题:以下哪个工艺完成场所不属于超净室?
选项:
A:超净工作台
B:超净工作线
C:超净工作室
D:超静音室
答案: 【超静音室】
2、 问题:硅平面工艺使制造性能稳定的平面晶体管成为可能。
选项:
A:正确
B:错误
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