2019大学慕课答案模拟电子技术（重修班）(天津大学) 最新大学MOOC满分章节测试答案

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【作业】第1章半导体二极管及其应用第1章半导体二极管及其应用
第1章半导体二极管及其应用第1章半导体二极管及其应用
【作业】第2章双极型晶体管及其放大电路第2章作业
第2章双极型晶体管及其放大电路第2章双极型晶体管及其放大电路
第3章场效应管及其放大电路
第4章功率放大电路
【作业】第3章场效应管及其放大电路第3章作业
【作业】第4章功率放大电路第4章单元作业
第5章集成运算放大器及其单元电路
【作业】第5章集成运算放大器及其单元电路第5章单元作业
【作业】第6章负反馈放大电路第6章单元作业
第6章负反馈放大电路
第7章集成运算放大器的应用

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【作业】第1章半导体二极管及其应用第1章半导体二极管及其应用

1、问题:见附件
评分规则: 【 6.
】

第1章半导体二极管及其应用第1章半导体二极管及其应用

1、问题:影响半导体器件温度稳定性的是（）。
选项：
A:多数载流子
B:少数载流子
C:杂质正离子
D:杂质负离子
答案: 【少数载流子】

2、问题:对PN结的空间电荷区错误称谓是（）。
选项：
A:势垒层
B:阻挡层
C:外电场
D:耗尽区
答案: 【外电场】

3、问题:扩散运动是由（）定向运动形成的。
选项：
A:多数载流子
B:少数载流子
C:杂质正离子
D:杂质负离子
答案: 【多数载流子】

4、问题:漂移运动是由（）定向运动形成的。
选项：
A:多数载流子
B:少数载流子
C:杂质正离子
D:杂质负离子
答案: 【少数载流子】

5、问题:N型半导体中主要的载流子是（）。
选项：
A:杂质正离子
B:自由电子
C:空穴
D:施主杂质
答案: 【自由电子】

6、问题:P型半导体中的杂质离子是（）。
选项：
A:杂质正离子
B:杂质负离子
C:空穴
D:施主杂质
答案: 【杂质负离子】

7、问题:PN结中空间正电荷区比空间负电荷区宽，说明N型半导体的掺杂浓度（）P型半导体的掺杂浓度。
选项：
A:一样
B:大于
C:小于
D:不确定
答案: 【小于】

8、问题:PN结的反向饱和电流与下列哪些载流子有关（）。
选项：
A:少数载流子
B:多数载流子
C:少数载流子和多数载流子
D:以上都不对
答案: 【少数载流子】

9、问题:二极管与固定阻值的电阻相比，最大的区别是（）。
选项：
A:线性器件
B:非线性器件
C:阻值小
D:阻值大
答案: 【非线性器件】

10、问题:二极管的最高工作频率就是指其单向导电性明显退化时的交流信号的频率，这是由于二极管的以下哪个特性影响（）。
选项：
A:单向导电性
B:反向击穿特性
C:电容效应
D:温度特性
答案: 【电容效应】

11、问题:已知二极管的伏安特性曲线，当二极管正向导通时，能否判断二极管的直流电阻和交流电阻阻值的情况（）。
选项：
A:直流电阻大于交流电阻
B:直流电阻小于交流电阻
C:直流电阻等于交流电阻
D:不能确定
答案: 【直流电阻大于交流电阻】

12、问题:一个二极管通过电阻接5V的直流电源，测得流过二极管的电流为1mA，如果电源电压提高到10V，则流过二极管的电流将（），设二极管是理想的。
选项：
A:小于2mA
B:等于2mA
C:大于2mA
D:不变
答案: 【等于2mA】

13、问题:二极管整流电路利用了半导体二极管的（）。
选项：
A:伏安特性
B:温度特性
C:单向导电性
D:反向击穿特性
答案: 【单向导电性】

14、问题:若测得某稳压二极管的反向电流小于稳压管的最小工作电流，则该稳压管处于（）。
选项：
A:正向导通区
B:反向截止区
C:反向击穿区
D:放大区
答案: 【反向截止区】

15、问题:稳压管工作在稳压区时，其工作状态为（）。
选项：
A:PN结正向导通时
B:PN结反向截止但没有击穿时
C:PN结反向击穿时
D:不能确定
答案: 【PN结反向击穿时】

16、问题:若测得某稳压管工作时，反向工作电流大于稳压管的最大工作电流，则该稳压管处于（）。
选项：
A:导通
B:截止
C:反向击穿
D:烧毁
答案: 【烧毁】

17、问题:如图图题1.1所示，二极管正向导通压降UD=0.7V。此时对二极管正确的描述是（）。图题1.1
选项：
A:理想模型
B:恒压降模型
C:折线模型
D:交流小信号模型
答案: 【恒压降模型】

18、问题:如图题1.2所示，设二极管正向导通压降UD=0.7V。二极管中电流是（）。图题1.2
选项：
A:二极管正向导通电流2.75mA，方向由上指向下
B:二极管正向导通电流6.55mA，方向由上指向下
C:二极管正向导通电流2.75mA，方向由下指向上
D:二极管正向导通电流6.55mA，方向由下指向上
答案: 【二极管正向导通电流2.75mA，方向由上指向下】