2022大学慕课答案模拟电子技术(安庆师范大学) 最新大学MOOC满分章节测试答案

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2. 二极管及其基本电路单元测验1（二极管及其基本电路）
3. 双极结型三极管及其放大电路基础单元测验2（三极管及其放大电路）
8. 功率放大电路单元测验6（功率放大电路）

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本课程起止时间为:2020-02-24到2020-06-30
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2. 二极管及其基本电路单元测验1（二极管及其基本电路）

1、问题:当温度升高时，关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。
选项：
A:自由电子个数增加，空穴个数基本不变。
B:空穴个数增加，自由电子个数基本不变。
C:空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。
D:空穴和自由电子的个数均保持不变。
答案: 【空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。】

2、问题: N型半导体可以在纯净半导体中掺入元素实现。
选项：
A:3价
B:4价
C:5价
D:6价
答案: 【5价】

3、问题:P型半导体可以在纯净半导体中掺入元素实现。
选项：
A:3价
B:4价
C:5价
D:6价
答案: 【3价】

4、问题:半导体中的少数载流子产生的原因是。
选项：
A:内电场
B:热激发
C:掺杂
D:外电场
E:本征激发
答案: 【热激发;
本征激发】

5、问题:随着环境温度的升高，半导体二极管的反向电流将。
选项：
A:略有增加
B:减少
C:保持不变
D:与温度成比例增加
答案: 【略有增加】

6、问题: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于。
选项：
A:杂质浓度
B:温度
C:本征半导体
D:掺杂工艺
答案: 【杂质浓度】

7、问题:当PN结承受反向电压时，其内部电流关系为。
选项：
A: 扩散电流大于漂移电流
B: 扩散电流等于漂移电流
C: 扩散电流小于漂移电流
D:无法确定
答案: 【扩散电流小于漂移电流】

8、问题:用数字万用表的电阻档无法正确测量二极管，你的结论是。
选项：
A:电阻档无法给二极管提供正常的偏置
B:万用表的内阻与二极管不匹配
C:万用表内部电池电压过低
D:这种情况不存在，我就是这样测的
答案: 【电阻档无法给二极管提供正常的偏置】

9、问题:PN结的内电场方向是。
选项：
A:由P区指向N区
B:由N区指向P区
C:与外加电压有关
D:不确定
答案: 【由N区指向P区】

10、问题:齐纳二极管正常稳压时工作在状态。
选项：
A:放大
B:反向击穿
C:正向导通
D:反向截止
答案: 【反向击穿】

11、问题:二极管基本电路如图所示，已知R = 1kΩ。当VDD =10V 时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为和；当VDD =1V 时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为和。
选项：
A:10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B:10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
C:10mA，1mA；9.3mA，3mA
D:1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
答案: 【10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】