本答案对应课程为:点我自动跳转查看
本课程起止时间为:2021-10-26到2022-01-31
本篇答案更新状态:已完结

第一章 半导体的晶体结构与价键模型 第一章 半导体的晶体结构与价键模型测试题

1、 问题:晶体是指固体材料中的原子无规律的周期性排列。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

2、 问题:非晶态固体材料中的原子有规律地长程有序地排列,但在几个原子的范围内保持着有序性,或称为短程有序。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

3、 问题:理想晶体由相同的结构单元在空间无限重复排列而构成。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

4、 问题:密勒指数是描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

5、 问题:原子最外层的电子称为芯电子。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

6、 问题:共价键是相邻原子间通过共用自旋方向相同的电子对与原子核间的静电作用形成的。 
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

7、 问题:共价键成键的条件是成键原子得失电子的能力差别较大。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

8、 问题:共价键的数目遵从8-N原则。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

9、 问题:半导体中有两种载流子。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

10、 问题: C、Si、Ge晶体都属于闪锌矿型结构。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

第二章 半导体的电子结构 第二章 半导体的电子结构测试题

1、 问题:德布罗意(De Broglie)波长是普朗克常数(Planck)和粒子的(   )的比值。
选项:
A:动能
B:动量
C:速度
D:势能
答案: 【动量

2、 问题:海森伯堡‍测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其(    )动量。
选项:
A:‍‍动能和动量
B:势能和动量
C:坐标和动量 
D:势能和坐标
答案: 【坐标和动量 

3、 问题:量子化能级是(    )的能级。
选项:
A:分立
B:连续
C:很多
D:很少
答案: 【分立

4、 问题:波粒二象性是指微观粒子有时表现为(    ),而电磁波有时表现为粒子性。
选项:
A:高温性
B:低温性 
C:波动性  
D:粒子性
答案: 【波动性  

5、 问题:光照产生的载流子叫(    )载流子。
选项:
A:光生
B:电生
C:热生 
D:冷生
答案: 【光生

6、 问题:热激发产生的载流子叫(    )载流子。
选项:
A:光生
B:电生
C:热生 
D:冷生
答案: 【热生 

7、 问题:空带上能量最低的允带称为(    )。
选项:
A:价带
B:导带
C:禁带
D: 能带
答案: 【导带

8、 问题:价电子所在的允带称为(    )。
选项:
A:价带
B:导带
C:禁带
D:能带
答案: 【价带

9、 问题:导带底与价带顶之间的能量区域称为(    )。
选项:
A:价带
B:导带 
C:禁带
D:能带
答案: 【禁带

10、 问题:禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之(    )。
选项:
A:和
B:差
C:‍积
D:商
答案: 【

11、 问题:载流子跃迁前后在(    )所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。
选项:
A:导带底
B:导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 【导带底

12、 问题:载流子跃迁前后在(    )所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙,相应的半导体称为间接能隙半导体。
选项:
A:导带底 
B: 导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 【导带底 

第六章 金属和半导体的接触 第六章金属半导体的接触测试题

1、 问题:考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将(  )
选项:
A:降低
B:不变
C:升高
D: 无法判断
答案: 【降低

2、 问题:已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层,且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T,则该p型半导体为(  )半导体。
选项:
A:非简并     
B:弱简并
C:简并
D:以上均不对
答案: 【弱简并

3、 问题:金属与N型半导体形成阻挡层,满足( )
选项:
A:Wm > Ws
B:Wm < Ws
C:Wm = Ws
D:无法确定

本门课程剩余章节答案为付费内容
本文章不含期末不含主观题!!
本文章不含期末不含主观题!!
支付后可长期查看
有疑问请添加客服QQ 2356025045反馈
如遇卡顿看不了请换个浏览器即可打开
请看清楚了再购买哦,电子资源购买后不支持退款哦

   

发表回复

您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注